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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD19N20-90-E3
Vishay
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1 | MOSFET 200V N-CH (D-S) 175 DEG.C | Other | SUD19N20-90-E3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD19P06-60-E3
Vishay
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1 | P-Channel 60 V 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA , -55°C ~ 150°C (TJ) | Other | SUD19P06-60-E3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD19P06-60-GE3
Vishay
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1 | P-Channel 60 V 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA | Other | SUD19P06-60-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD19N20-90-BE3
Vishay
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1 | MOSFET N-CHANNEL 200V (D-S | Other | SUD19N20-90-BE3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD19N20-90-T4-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SUD19N20-90-T4-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD19P06-60L-E3
Vishay
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1 | MOSFET 60V 19A 46W 60mohm @ 10V | SUD19P06-60L-E3 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD19P06-60L-E3
Vishay Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SUD19P06-60L-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD19P06-60-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18.3A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SUD19P06-60-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD19P06-60L-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SUD19P06-60L-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD19P06-60-BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18.3A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SUD19P06-60-BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD19N20-90-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SUD19N20-90-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD19N20-90-T4-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SUD19N20-90-T4-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUD19P06-60-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SUD19P06-60-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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