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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHD6N80AE-GE3
Vishay
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1 | MOSFET N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252) | Other | SIHD6N80AE-GE3 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHD6N65E-GE3
Vishay
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1 | VISHAY - SIHD6N65E-GE3 - MOSFET, N-CH, 650V, 7A, TO-252 | Other | SIHD6N65E-GE3 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHD6N62E-GE3
Vishay
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1 | VISHAY - SIHD6N62E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 620 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount | Other | SIHD6N62E-GE3 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHD690N60E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SIHD690N60E-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHD6N65ET1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SIHD6N65ET1-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHD6N65ET4-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SIHD6N65ET4-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHD6N65ET5-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SIHD6N65ET5-GE3 |
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SIHD6N80E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 800V, 0.94ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SIHD6N80E-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||