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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS54DN-T1-GE3
Vishay
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1 | MOSFET 30V N-CHANNEL (D-S) | Other | SISS54DN-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS52DN-T1-GE3
Vishay
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1 | N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | Other | SISS52DN-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS5808DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 66.6A I(D), 80V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SISS5808DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS5112DN-T1-GE3
Vishay
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1 | N-Channel 100 V 11A (Ta), 40.7A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S | SISS5112DN-T1-GE3 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS5110DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46.4A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SISS5110DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS5710DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26.2A I(D), 150V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SISS5710DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS5623DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36.3A I(D), 60V, 0.046ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SISS5623DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS52DN-T1-UE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 162A I(D), 30V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SISS52DN-T1-UE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS5108DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55.9A I(D), 100V, 0.0124ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SISS5108DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS5810DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 80V, 0.0157ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SISS5810DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS588DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58.1A I(D), 80V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SISS588DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS50DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 108A I(D), 45V, 0.00283ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SISS50DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS5708DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33.8A I(D), 150V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SISS5708DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS5208DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 172A I(D), 20V, 0.00265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SISS5208DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS586DN-T1-UE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor | SISS586DN-T1-UE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS5207DN-T1-UE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 136.7A I(D), 20V, 0.0042ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SISS5207DN-T1-UE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS5812DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42.8A I(D), 80V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SISS5812DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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