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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JTK108M050S1GMK25L
Jamicon Corporation USA
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1 | electrolyte capacitor TK 1000 µF ± 20% 50 V pitch 5.0 mm | Capacitor, Polarized Radial Diameter | JTK108M050S1GMK25L |
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TK10J80E
Toshiba
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1 | Toshiba TK10J80E N-channel MOSFET Transistor, 10 A, 800 V, 3-Pin TO-3PN | Transistor Outline, Vertical | TK10J80E |
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TK10A60D,S5Q(J
Toshiba
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1 | TK10A60D,S5Q(J N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V, 3-Pin SC-67 Toshiba | Transistor Outline, Vertical | TK10A60D,S5Q(J |
3
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TK100E10N1,S1X
Toshiba
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1 | Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 100 V)(3) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA) | Transistor Outline, Vertical | TK100E10N1,S1X |
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TK10A80E,S4X(S
Toshiba
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1 | Toshiba TK10A80E,S4X(S N-channel MOSFET Transistor, 10 A, 800 V, 3-Pin TO-220SIS | Transistor Outline, Vertical | TK10A80E,S4X(S |
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1 | LIN 2.x/ISO 17987-4:2016 (12 V)/SAE J2602 compliant• Baud rate up to 20 kBd (/20 and B variants)• Very low ElectroMagnetic Emission (EME)• High ElectroMagnetic Immunity (EMI)• Passive behavior in unpowered state• Input levels compatible with 3.3 V and 5 V devices• Integrated termination resistor for LIN responder applications• Wake-up source recognition (local or remote)• K-line compatible• Pin-to-pin compatible with TJA1020 and MC33662(B)• Available in SO8 and HVSON8 packages• Leadles | Small Outline No-lead | TJA1021TK/10/C,118 |
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TK10A80W
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 800 V, 0.55 Ω@10V, TO-220SIS, DTMOSⅣ | Other | TK10A80W |
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TK10A80E
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 800 V, 1.0 Ω@10V, TO-220SIS, π-MOSⅧ | Other | TK10A80E |
3
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TK100L60W,VQ(O
Toshiba
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1 | Toshiba TK100L60W,VQ(O N-channel MOSFET Transistor, 100 A, 600 V, 3-Pin TO-3PL | Transistor Outline, Vertical | TK100L60W,VQ(O |
3
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TK10A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
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1 | MOSFET N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72 | Transistor Outline, Vertical | TK10A50D(STA4,Q,M) |
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TK100A10N1,S4X
Toshiba
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1 | MOSFET MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V | Transistor Outline, Vertical | TK100A10N1,S4X |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK100E06N1
Toshiba
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1 | Toshiba TK100E06N1 N-channel MOSFET Transistor, 263 A, 60 V, 3-Pin TO-220 | Other | TK100E06N1 |
3
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TK10A60D
Toshiba
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1 | MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A | Transistor Outline, Vertical | TK10A60D |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FPY0808-TK-1000BLF
Bourns
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1 | ResFoil 0808 100R 0.01% TC1 | Other | FPY0808-TK-1000BLF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK10A50W,S5X
Toshiba
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1 | Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ | Transistor Outline, Vertical | TK10A50W,S5X |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK10A55D
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 550 V, 0.72 Ω@10V, TO-220SIS, π-MOSⅦ | Other | TK10A55D |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK100A10N1,S4X(S
Toshiba
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1 | Toshiba TK100A10N1,S4X(S N-channel MOSFET Transistor, 207 A, 100 V, 3-Pin TO-220SIS | Transistor Outline, Vertical | TK100A10N1,S4X(S |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK100E08N1
Toshiba
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1 | Toshiba TK100E08N1 N-channel MOSFET Transistor, 214 A, 80 V, 3-Pin TO-220 | Transistor Outline, Vertical | TK100E08N1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK100A06N1,S4X(S
Toshiba
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1 | Toshiba TK100A06N1,S4X(S N-channel MOSFET Transistor, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS | Transistor Outline, Vertical | TK100A06N1,S4X(S |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK10E60W,S1VX(S
Toshiba
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1 | Toshiba TK10E60W,S1VX(S N-channel MOSFET Transistor, 9.7 A, 600 V, 3-Pin TO-220 | Transistor Outline, Vertical | TK10E60W,S1VX(S |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCH16T-K10-1
Murata Electronics
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1 | IMUs - Inertial Measurement Units 6-DOF Gyroscope +/-2000 deg/s, Accelerometer +/-160 m/s squared (+/-260 m/s) | Other | SCH16T-K10-1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK10A60D(STA4,Q,M)
Toshiba
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1 | MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS | Transistor Outline, Vertical | TK10A60D(STA4,Q,M) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCH16T-K10-10
Murata Electronics
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1 | IMUs - Inertial Measurement Units 6-DOF Gyroscope +/-2000 deg/s, Accelerometer +/-160 m/s squared (+/-260 m/s) | Other | SCH16T-K10-10 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TJA1021TK/10
NXP
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1 | ISO 17987/LIN 2.x/SAE J2602 transceiver | Small Outline No-lead | TJA1021TK/10 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK100A10N1
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 100 V, 0.0038 Ω@10V, TO-220SIS, U-MOSⅧ-H | Other | TK100A10N1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||