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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH1400ANH,L1Q
Toshiba
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1 | Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV MOQ=3000 PD=45W F=1MHZ | Other | TPH1400ANH,L1Q |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH14006NH,L1Q
Toshiba
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1 | MOSFET U-MOSVIII-H 60V 34A 16nC MOSFET | Other | TPH14006NH,L1Q |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH14006NH
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 60 V, 0.014 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H | TPH14006NH |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH1400ANH(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH1400ANH(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH14006NH(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH14006NH(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH1400CQH
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, SOP Advance(N), U-MOSⅧ-H | TPH1400CQH |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH1400CQ5
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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1 | N-ch MOSFET, 150 V, 32 A, 0.0141 Ω@10 V, High-speed diode, SOP Advance(N) | TPH1400CQ5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH1400CQH,LQ
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 150V, 0.0173ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH1400CQH,LQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH14006NH(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH14006NH(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH1400ANH(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH1400ANH(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH14006NH,L1Q(M
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH14006NH,L1Q(M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH14006NH(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH14006NH(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH1400ANH,L1Q(M
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.0136ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH1400ANH,L1Q(M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH1400ANH(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH1400ANH(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH1400CQH
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 150V, 0.0173ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH1400CQH |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH14006NH(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH14006NH(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH1400ANH(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH1400ANH(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH1400ANH
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 100 V, 0.0136 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H | TPH1400ANH |
1
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