Showing 25 of 81 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N06LESM9A
onsemi
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1 | 16A, 60V; Peak Current vs Pulse Width Curve; UIS Rating Curve; Can be Driven Directly from CMOS, NMOS,and TTL Circuits; rDS(ON)= 0.047Ω; Temperature Compensating PSPICE® Model; Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface MountComponents to PC Boards” | Other | RFD16N06LESM9A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD12N06RLESM9A
onsemi
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1 | Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electrical Models - Spice and SABER© Thermal Impedance Models; UIS Rating Curve; Peak Current vs Pulse Width Curve; Switching Time vs RGS Curves; Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.063, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.071, VGS = 5V | Other | RFD12N06RLESM9A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055LESM9A
onsemi
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1 | Peak Current vs Pulse Width Curve; Temperature Compensating PSPICE® Model; Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface MountComponents to PC Boards”; UIS Rating Curve; 11A, 60V; rDS(ON)= 0.107Ω | Other | RFD3055LESM9A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ESM-950B
Elekon Industries
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1 | Visible LED | ESM-950B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ESM-950A
Elekon Industries
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1 | Visible LED | ESM-950A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S23N06LESM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S23N06LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD12N06RLESM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD12N06RLESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4UTEESM96.0
Fox Electronics
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 96MHz Nom | FC4UTEESM96.0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4STFESM9.0
Fox Electronics
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, | FC4STFESM9.0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4STHESM9.0
Fox Electronics
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9MHz Nom | FC4STHESM9.0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD8P06ESM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD8P06ESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N06LESM9A
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N06LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD7N10LESM96
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD7N10LESM96 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ESM959M45
Gentron Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | ESM959M45 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S23N06LESM96
Renesas Electronics Corporation
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1 | Transistor | RF1S23N06LESM96 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD12N06RLESM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD12N06RLESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD8P06LESM9A
Rochester Electronics LLC
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1 | 8A, 60V, 0.33ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252AA VARIANT, 3 PIN | RFD8P06LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S40N10LESM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S40N10LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLD03N06CLESM9A
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RLD03N06CLESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S40N10LESM9A
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S40N10LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4STDESM9.0
Fox Electronics
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9MHz Nom | FC4STDESM9.0 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055LESM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD3055LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4STBESM9.000001
Fox Electronics
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9.000001MHz Nom | FC4STBESM9.000001 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ESM942R-M137
Gentron Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | ESM942R-M137 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S30N06LESM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S30N06LESM9A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||