Showing 25 of 1417 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1032UCB4-7
Diodes Incorporated
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1 | N-Channel 12 V 4.8A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount U-WLB1010-4 | Other | DMN1032UCB4-7 |
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DMN10H220LK3-13
Diodes Incorporated
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1 | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K | Other | DMN10H220LK3-13 |
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DMN10H120SE-13
Diodes Incorporated
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1 | MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC | SOT223 (3-Pin) | DMN10H120SE-13 |
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DMN10H220L-7
Diodes Incorporated
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1 | Diodes Inc DMN10H220L-7 N-channel MOSFET Transistor, 1.6 A, 100 V, 3-Pin SOT-223 | SOT23 (3-Pin) | DMN10H220L-7 |
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DMN1025UFDB-7
Diodes Incorporated
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1 | MOSFET Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W | Other | DMN1025UFDB-7 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1003UCA6-7
Diodes Incorporated
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1 | Mosfet Array 2.67W Surface Mount X3-DSN3518-6 | Other | DMN1003UCA6-7 |
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DMN1004UFV-7
Diodes Incorporated
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1 | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | Other | DMN1004UFV-7 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1045UFR4-7
Diodes Incorporated
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1 | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss | Other | DMN1045UFR4-7 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN10H220LPDW-13
Diodes Incorporated
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1 | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 100V 8A 8-Pin PowerDI T/R - Tape and Reel | Other | DMN10H220LPDW-13 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN10H6D2LFDB-7
Diodes Incorporated
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1 | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 0.27A 100V 6Ω U-DFN2020-6 (Type B) 0.7W 1μA -55 to +150°C | Other | DMN10H6D2LFDB-7 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1004UFDF-13
Diodes Incorporated
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1 | N-Channel 12 V 15A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 | Other | DMN1004UFDF-13 |
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DMN1008UFDF-13
Diodes Incorporated
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1 | 12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Other | DMN1008UFDF-13 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1019USN-13
Diodes Incorporated
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1 | • Low On-Resistance• ESD Protected Gate• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability | SOT23 (3-Pin) | DMN1019USN-13 |
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DMN10H220LFDF-7
Diodes Incorporated
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1 | N-Channel 100 V 2.2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F) | Other | DMN10H220LFDF-7 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN10H220LFDF-13
Diodes Incorporated
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1 | N-Channel 100 V 2.2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)-55°C ~ 150°C | Other | DMN10H220LFDF-13 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN10H099SFG-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN10H099SFG-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1019UFDE
Analog Devices Inc
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1 | Analog Circuit | DMN1019UFDE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1016UCB6-7
Diodes Incorporated
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN1016UCB6-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN100
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN10H170SFG-13
Diodes Incorporated
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN10H170SFG-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1019UVT-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.7A I(D), 12V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN1019UVT-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1029UFDB-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 12V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN1029UFDB-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1019USNQ-7
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 12V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN1019USNQ-7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN10H170SVT-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN10H170SVT-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN10H170
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | N-channel high voltage MOSFET with 100 V drain-source voltage, 12 A continuous drain current, and low on-resistance of 140 mΩ at 10 V gate-source voltage, housed in a surface-mount TO-252 package. | DMN10H170 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||