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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD30N06S2L23ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N06S2L23ATMA1 |
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IPD30N03S2L-07
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N03S2L-07 |
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IPD30N03S2L10ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0146ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N03S2L10ATMA1 |
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IPD30N12S3L-31
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 120V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N12S3L-31 |
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IPD30N06S2-15
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N06S2-15 |
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IPD30N03S2L20ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N03S2L20ATMA1 |
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IPD30N06S2L13XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N06S2L13XT |
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IPD30N06S4L23ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N06S4L23ATMA1 |
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IPD30N08S2L21XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 75V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N08S2L21XT |
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IPD30N03S2L-10
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0146ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N03S2L-10 |
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IPD30N06S2-23
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N06S2-23 |
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IPD30N03S4L14ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0136ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N03S4L14ATMA1 |
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IPD30N03S2L07ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N03S2L07ATMA1 |
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IPD30N10S3L34ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T | IPD30N10S3L34ATMA1 |
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IPD30N06S4L23XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N06S4L23XT |
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IPD30N08S222ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 75V, 0.0215ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N08S222ATMA1 |
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IPD30N06S215ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N06S215ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD30N06S3-24
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD30N06S3-24 |
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IPD30N08S2-22
Infineon
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1 | Infineon IPD30N08S2-22 N-channel MOSFET Transistor, 30 A, 75 V, 3-Pin TO-252 | IPD30N08S2-22 |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD30N03S4L09ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N03S4L09ATMA1 |
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IPD30N06S2-15XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N06S2-15XT |
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IPD30N06S2L13ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD30N06S2L13ATMA1 |
0
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IPD30N06S223ATMA2
Infineon
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1 | MOSFETs MOSFET_)40V 60V) | IPD30N06S223ATMA2 |
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