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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AISC-0805-R0082J-T
ABRACON
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1 | WIREWOUND INDUCTOR 8.2NH 600MA 5% 4.8GHZ; Product Range:ABRACON - AISC-0805 Series; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:± 5%; Inductor Construction:Wirewound; Self Resonant Frequency (Min):4.8GHz; DC Resistance Max:0.19ohm ;RoHS Compliant: Yes | Other | AISC-0805-R0082J-T |
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AISC-0805-R033J-T
ABRACON
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1 | Inductor RF Chip Wirewound 33nH 5% 250MHz 60Q-Factor Ceramic 500mA 270mOhm DCR 0805 T/R | Inductors Chip | AISC-0805-R033J-T |
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AISC-0805-R15G-T
ABRACON
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1 | FIXED IND 150NH 400MA 560 MOHM | Other | AISC-0805-R15G-T |
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AISC-0805-R82G-T
ABRACON
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1 | Inductor Ceramic Core Wire Wound 2.3 x 1.7 x 1.55mm, 10% Tolerance, 2% Tolerance | Other | AISC-0805-R82G-T |
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MSC080SMA330B4N
Microchip
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1 | SiC MOSFETs MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch,23 to –10 V,439 W –55 ~ 150 °C | Other | MSC080SMA330B4N |
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BSC080N03LSG
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | Other | BSC080N03LSG |
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ASC0805-4K7FT5
TT Electronics
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1 | WELWYN - ASC0805-4K7FT5 - RES, 4K7, 1%, 0.125W, 0805, THICK FILM | Resistor Chip | ASC0805-4K7FT5 |
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AT88SC0808CA-SH-T
Microchip
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1 | CryptoMem, Gen2,8Kbit, 8Zone, 8SOIC, GRN | Small Outline Packages | AT88SC0808CA-SH-T |
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ASC0805-6R8FT5
TT Electronics
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1 | WELWYN - ASC0805-6R8FT5 - RES, THICK FILM, 6R8, 1%, 0.125W, 0805 | Resistor Chip | ASC0805-6R8FT5 |
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ISC0804NLSATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 100V 12A (Ta), 59A (Tc) 2.5W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 | Other | ISC0804NLSATMA1 |
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AISC-0805-R047J-T-T
ABRACON
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1 | ABRACON - AISC-0805-R047J-T-T - WW INDUCTOR, 470NH 500MA 5% 1.75GHZ | Inductors Chip | AISC-0805-R047J-T-T |
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BSC080N12LSGATMA1
Infineon
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1 | INFINEON - BSC080N12LSGATMA1 - Power MOSFET, N Channel, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, TDSON, Surface Mount | Other | BSC080N12LSGATMA1 |
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AISC-0805-R022G-T
ABRACON
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1 | 22nH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 220mOhm Max 0805 (2012 Metric) | Other | AISC-0805-R022G-T |
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AISC-0805F-680J-T
ABRACON
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1 | 68µH Unshielded Wirewound Inductor 40mA 17.5Ohm Max 0805 (2012 Metric) | Other | AISC-0805F-680J-T |
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AISC-0805F-1R0G-T
ABRACON
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1 | Inductor RF Wirewound 1uH 2% 7.9MHz 15Q-Factor Ferrite 0.245A 1.2Ohm DCR 0805 T/R | Other | AISC-0805F-1R0G-T |
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AISC-0805-1R0K
ABRACON
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1 | MEMS OSC XO 64.0000MHZ CMOS SMD | Other | AISC-0805-1R0K |
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AISC-0805F-100J-T
ABRACON
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1 | Inductor RF Wirewound 10uH 5% 2.5MHz 10Q-Factor Ferrite 0.098A 4.7Ohm DCR 0805 T/R | Other | AISC-0805F-100J-T |
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AISC-0805-R18J-T
ABRACON
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1 | FIXED IND 180NH 400MA 640 MOHM | Other | AISC-0805-R18J-T |
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AISC-0805-R015G-T
ABRACON
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1 | Inductor RF Wirewound 0.015uH 2% 250MHz 40Q-Factor Ceramic 0.6A 0.17Ohm DCR 0805 T/R | Other | AISC-0805-R015G-T |
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AISC-0805HQ-39NJ-T
ABRACON
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1 | FIXED IND 39NH 1.1A 110 MOHM SMD | Other | AISC-0805HQ-39NJ-T |
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AISC-0805F-220G-T
ABRACON
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1 | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 68mA 8Ohm Max 0805 (2012 Metric) | Other | AISC-0805F-220G-T |
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AISC-0805HQ-5N6J-T
ABRACON
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1 | FIXED IND 5.6NH 1.6A 35 MOHM SMD | Other | AISC-0805HQ-5N6J-T |
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AISC-0805HQ-6N2J-T
ABRACON
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1 | FIXED IND 6.2NH 1.6A 35 MOHM SMD | Other | AISC-0805HQ-6N2J-T |
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AISC-0805-R039G-T
ABRACON
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1 | Inductor RF Wirewound 0.039uH 2% 250MHz 60Q-Factor Ceramic 0.5A 0.29Ohm DCR 0805 T/R | Other | AISC-0805-R039G-T |
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AISC-0805-R022J-T
ABRACON
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1 | Ind Chip Wirewound 22nH 5% 250MHz 55Q-Factor Ceramic 500mA 0805 T/R | Other | AISC-0805-R022J-T |
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