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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8050-H(TE12L,Q)
Toshiba
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1 | Toshiba TPC8050-H(TE12L,Q) N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 60 V, 6-Pin SOP | Small Outline Packages | TPC8050-H(TE12L,Q) |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LPC804M101JDH24
NXP
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1 | System: Arm Cortex-M0+ processor (revision r0p1), running at frequencies of up to 15 MHzwith single-cycle multiplier and fast single-cycle I/O port. Arm Cortex-M0+ built-in Nested Vectored Interrupt Controller (NVIC). System tick timer. AHB multilayer matrix. Serial Wire Debug (SWD) with four break points and two watch points. JTAGboundary scan (BSDL) supported. | Small Outline Packages | LPC804M101JDH24 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC8009
EPC
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1 | GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE | Other | EPC8009 |
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TPC8052-H(TE12L,Q)
Toshiba
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1 | Toshiba TPC8052-H(TE12L,Q) N-channel MOSFET Transistor, 12 A, 40 V, 8-Pin SOP | Small Outline Packages | TPC8052-H(TE12L,Q) |
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EPC8002
Efficient Power Conversion
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1 | N-Channel 65 V 2A (Ta) 480 mΩ ID 2A Surface Mount Die | Other | EPC8002 |
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KBPC808
Vishay
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1 | Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole KBPC8 800V 5A 5µA @ 800V 4-Square, KBPC-8 -50°C ~ 150°C (TJ) | Other | KBPC808 |
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QPC8018QSQ
Qorvo
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1 | SP5T Switch For LTE Applications ,13 Pin 1.1 x 1.9 x 0.44 mm Module Package ,-45 to +125 °C , vio : 2.5 v . | Other | QPC8018QSQ |
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QPC8020QSR
Qorvo
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1 | SP4T RFFE GSM High Power Switch ,9 Pin 1.1 x 1.1 x 0.44 mm Package ,-65 to +150 °C ,39 dBm, 1:1 VSWR, +25°C, 25% duty cycle ,vio :2.5 v . | Other | QPC8020QSR |
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ERA-6APC8060V
Panasonic
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1 | Metal Thin Film Chip Resistor, 0805, 0.125W | Other | ERA-6APC8060V |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QPC8018QSR
Qorvo
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1 | RF Switch IC LTE SP5T 50Ohm Module | Other | QPC8018QSR |
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ERA-2APC8061X
Panasonic
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1 | Metal Thin Film Chip Resistor, 0402, 0.063W | Other | ERA-2APC8061X |
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ERA-8APC8060V
Panasonic
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1 | Metal Thin Film Chip Resistor, 1206, 0.25W | Resistor Chip | ERA-8APC8060V |
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QPC8013QTR13
Qorvo
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1 | SP4T Switch for LTE Applications | Other | QPC8013QTR13 |
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ERA6APC8062V
Panasonic
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1 | Metal Thin Film Chip Resistor, 0805, 0.125W | Other | ERA6APC8062V |
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TPC8027(TE12L,Q)
Toshiba
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1 | Toshiba TPC8027(TE12L,Q) N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 30 V, 8-Pin | Small Outline Packages | TPC8027(TE12L,Q) |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8048-H(TE12L,Q)
Toshiba
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1 | Toshiba TPC8048-H(TE12L,Q) N-channel MOSFET Transistor, 16 A, 60 V, 6-Pin SOP | Small Outline Packages | TPC8048-H(TE12L,Q) |
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QPC8014Q
Qorvo
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1 | RF Development Tools Automotive RFFE LTE SP6T Switch | Other | QPC8014Q |
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QPC8018QSB
Qorvo
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1 | SP5T Switch For LTE Applications | Other | QPC8018QSB |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QPC8015QSB
Qorvo
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1 | SPDT Switch for Receive Applications | Other | QPC8015QSB |
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ERA2APC8061X
Panasonic
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1 | Metal Thin Film Chip Resistor, 0402, 0.063W | Other | ERA2APC8061X |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ERA-6APC8061V
Panasonic
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1 | Metal Thin Film Chip Resistor, 0805, 0.125W | Other | ERA-6APC8061V |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QPC8010QSQ
Qorvo
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1 | 50Ω, 5MHz to 6000MHz Operation Automotive SPDT SWITCH 2mmx2mm x 0.55mm, 12-pin QFN package | Quad Flat No-Lead | QPC8010QSQ |
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FDPC8012S
onsemi
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1 | Q2 N-Channel Max. RDS(on) = 2.2 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 23 A; MOSFET integration enables optimum layout for lower circuit inductance and reduced switch node ringing ; Q1 N-Channel Max. RDS(on) = 7.0 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 12 A; Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses ; RoHS Compliant | Other | FDPC8012S |
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LPC804M101JHI33Y
NXP
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1 | MCU 32-bit ARM Cortex M0+ RISC 32KB Flash 3.3V 32-Pin HVQFN EP T/R | Quad Flat No-Lead | LPC804M101JHI33Y |
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ASFLMPC-80.000MHZ-LR-T
ABRACON
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1 | Oscillator MEMS 80MHz ±25ppm (Stability) CMOS 55% 2.5V/3.3V 4-Pin QFN SMD T/R | Other | ASFLMPC-80.000MHZ-LR-T |
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