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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ERJ-H2RF1021X
Panasonic
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1 | Power Rating 0.1W,Resistance 1020 Ohm,LxW(EIA) 1.0 x 0.5 (EIA:0402) mm | Other | ERJ-H2RF1021X |
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ERJH2RF1003X
Panasonic
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1 | Power Rating 0.1W,Resistance 100000 Ohm,LxW(EIA) 1.0 x 0.5 (EIA:0402) mm | Other | ERJH2RF1003X |
3
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TMPM4GRF10FG
Toshiba
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1 | CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic | Quad Flat Packages | TMPM4GRF10FG |
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RF101L4STE25
ROHM Semiconductor
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1 | Fast Recovery Diode: ROHM's fast recovery diodes are ultra high-speed, low VF, and suited for significant efficiency increase of switching power supply as well as reduction of switching loss. | Diodes Moulded | RF101L4STE25 |
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MRF101AN-2MHZ4UP
NXP
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1 | Sub-GHz Development Tools MRF101AN 2-250 MHz Reference Circuit | Transistor Outline, Vertical | MRF101AN-2MHZ4UP |
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MBRF10100CT
Diodes Incorporated
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1 | Diode Schottky Diode 100V 5A 3-Pin TO-220AB Tube | Transistor Outline, Vertical | MBRF10100CT |
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MBRF10200
SMC Diode Solutions
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1 | Diode 200 V 10A Through Hole ITO-220AC | Transistor Outline, Vertical | MBRF10200 |
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AVRF101U6R8KT242
TDK
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1 | ESD Notch Filters, fn=2.4GHz, Vdc=28V,ESD=8kV 1.0mm x 0.5mm [EIA 0402] | Varistors Chip | AVRF101U6R8KT242 |
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RF101LAM4STR
ROHM Semiconductor
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1 | Super Fast Recovery Diode | Other | RF101LAM4STR |
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ERJH2RF1020X
Panasonic
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1 | Power Rating 0.1W,Resistance 102 Ohm,LxW(EIA) 1.0 x 0.5 (EIA:0402) mm | Other | ERJH2RF1020X |
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ERJ-H2RF1051X
Panasonic
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1 | Power Rating 0.1W,Resistance 1050 Ohm,LxW(EIA) 1.0 x 0.5 (EIA:0402) mm | Other | ERJ-H2RF1051X |
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ERJ-H2RF1001X
Panasonic
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1 | Power Rating 0.1W,Resistance 1000 Ohm,LxW(EIA) 1.0 x 0.5 (EIA:0402) mm | Other | ERJ-H2RF1001X |
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ERJH2RF10R2X
Panasonic
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1 | Power Rating 0.1W,Resistance 10.2 Ohm,LxW(EIA) 1.0 x 0.5 (EIA:0402) mm | Other | ERJH2RF10R2X |
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ERJH2RF10R5X
Panasonic
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1 | Power Rating 0.1W,Resistance 10.5 Ohm,LxW(EIA) 1.0 x 0.5 (EIA:0402) mm | Other | ERJH2RF10R5X |
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ERJ-H2RF10R0X
Panasonic
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1 | Power Rating 0.1W,Resistance 10 Ohm,LxW(EIA) 1.0 x 0.5 (EIA:0402) mm | Other | ERJ-H2RF10R0X |
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ERJ-H2RF1022X
Panasonic
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1 | Power Rating 0.1W,Resistance 10200 Ohm,LxW(EIA) 1.0 x 0.5 (EIA:0402) mm | Other | ERJ-H2RF1022X |
3
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RF101L2SDD
ROHM Semiconductor
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1 | Fast Recovery Diode (AEC-Q101 Qualified) | Other | RF101L2SDD |
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RF101LAM2STFTR
ROHM Semiconductor
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1 | Automotive Fast Recovery Diode (AEC-Q101 Qualified) | Other | RF101LAM2STFTR |
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ERJH2RF1073X
Panasonic
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1 | Power Rating 0.1W,Resistance 107000 Ohm,LxW(EIA) 1.0 x 0.5 (EIA:0402) mm | Other | ERJH2RF1073X |
3
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TMPM4GRF10XBG
Toshiba
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1 | CMOS Digital Integrated Circuit Silicon MonolithicP-VFBGA177-1313-0.80-001177 BALLS BGA | BGA | TMPM4GRF10XBG |
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ADUCRF101BCPZ128
Analog Devices
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1 | RF Microcontrollers - MCU Cortex M 3 MCU + RF integration I.C | Quad Flat No-Lead | ADUCRF101BCPZ128 |
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SRF1010DA-150M
Bourns
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1 | 15 µH Shielded Drum Core, Wirewound Inductor 4.6 A 45.5mOhm Max Nonstandard , -55°C ~ 155°C | Other | SRF1010DA-150M |
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IRF1010NPBF
Infineon
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1 | MOSFET MOSFT 55V 72A 11mOhm 80nC | Transistor Outline, Vertical | IRF1010NPBF |
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MMRF1014NT1
NXP
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1 | RF MOSFET Transistors LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V | Other | MMRF1014NT1 |
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IRF100B202
Infineon
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1 | N-Channel MOSFET, 97 A, 100 V, 3 + Tab-Pin TO-220 Infineon IRF100B202 | Transistor Outline, Vertical | IRF100B202 |
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