Showing 25 of 1628 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3568
Toshiba
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1 | MOSFET N-Ch 500V 12A Rdson 0.52 Ohm | Transistor Outline, Vertical | 2SK3568 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3557-6-TB-E
onsemi
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1 | Large Forward Transfer Admittance; Small Ciss; Ultrasmall-sized package permitting 2SK3557 applied sets to be made smaller and slimer; Ultralow noise figure | Other | 2SK3557-6-TB-E |
3
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2SK3557-7-TB-E
onsemi
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1 | JFET N-Channel 15 V 50 mA 200 mW Surface Mount 3-CP | SOT23 (3-Pin) | 2SK3557-7-TB-E |
3
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2SK3569
Toshiba
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1 | MOSFET N Channel 600V 10A 4V @ 1mA 750mΩ @ 5A,10V TO-220F(TO-220IS) RoHS | Transistor Outline, Vertical | 2SK3569 |
3
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2SK3566
Toshiba
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1 | MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm | Transistor Outline, Vertical | 2SK3566 |
3
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2SK3562
Toshiba
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1 | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI) MOSFET, N, 600V, TO-220SIS | Transistor Outline, Vertical | 2SK3562 |
3
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2SK3563
Toshiba
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1 | SILICON N CHANNEL MOS TYPE (PI-MOSVI) FIELD EFFECT TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | Transistor Outline, Vertical | 2SK3563 |
3
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2SK3541T2L
ROHM Semiconductor
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1 | ROHM 2SK3541T2L N-Channel MOSFET, 100 mA, 30 V, 3-Pin VMT | SO Transistor Flat Lead | 2SK3541T2L |
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2SK3564(STA4,Q,M)
Toshiba
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1 | POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS MOQ=50 PD=40W F=1MHZ | Transistor Outline, Vertical | 2SK3564(STA4,Q,M) |
3
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2SK3565,S5Q(J
Toshiba
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1 | N-channel MOSFET Transistor, 5 A, 900 V, 3-Pin SC-67 | Transistor Outline, Vertical | 2SK3565,S5Q(J |
3
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2SK3568(Q,M)
Toshiba
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1 | MOSFET X35 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220NIS2 MOQ=500 V=500 PD=40W F=1MHZ | Transistor Outline, Vertical | 2SK3568(Q,M) |
3
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2SK3564,S5Q(J
Toshiba
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1 | N-channel MOSFET Transistor, 3 A, 900 V, 3-Pin SC-67 | Transistor Outline, Vertical | 2SK3564,S5Q(J |
3
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2SK3566(STA4,Q,M)
Toshiba
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1 | MOSFET | Transistor Outline, Vertical | 2SK3566(STA4,Q,M) |
3
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2SK3569(Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3569(Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3554-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3554-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3577-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3577-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3589-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3589-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3581-01L
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3581-01L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3510
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 75V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3510 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK359FRF
Hitachi Ltd
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | 2SK359FRF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK358
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK358 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3571-ZK
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, MP-25ZK, 3 PIN | 2SK3571-ZK |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3501-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3501-01 |
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2SK3511
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 75V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3511 |
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2SK3576-T1B
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3576-T1B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||