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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC117N08NS5ATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 80 V 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7 | Other | BSC117N08NS5ATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC110N06NS3G
Infineon
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1 | N-channel MOSFET Transistor, 50 A, 60 V, 8-Pin TDSON | Other | BSC110N06NS3G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC112N06LDATMA1
Infineon
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1 | MOSFET TRENCH 40<-<100V | Other | BSC112N06LDATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC117N08NS5
Infineon
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1 | N-Channel 80 V 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7 | Other | BSC117N08NS5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC110N15NS5ATMA1
Infineon
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1 | INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - MOSFET, N-CH, 150V, 76A, TDSON-8 | Other | BSC110N15NS5ATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC110N15NS5SCATMA1
Infineon
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1 | OptiMOSTM5Power-Transistor,150V | Other | BSC110N15NS5SCATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC118N10NS G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2 | Other | BSC118N10NS G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XBSC11A108CS
Torex
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1 | SiC Schottky Barrier Diodes (850V, 10A) | Transistor Outline, Vertical | XBSC11A108CS |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC110N06NS3GATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC110N06NS3GATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC118N10NSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.0118ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC118N10NSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC119N03MSCGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC119N03MSCGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC110N15NS5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 150V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC110N15NS5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC119N03SG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.9A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC119N03SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC112N06LD
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 60V, 0.0112ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC112N06LD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC110N15NS5SC
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 150V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC110N15NS5SC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC119N03LSCGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC119N03LSCGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC119N03LSCG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC119N03LSCG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC119N03SGAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.9A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC119N03SGAUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC119N03MSCG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC119N03MSCG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC118N10NSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.0118ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC118N10NSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC110N06NS3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 | BSC110N06NS3 G |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BTBSC1-16.000MHZ-V
ECS International Inc
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1 | Series - Fundamental Quartz Crystal, 16MHz Nom | BTBSC1-16.000MHZ-V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BBSC1-14.999MHZ-G1
ECS International Inc
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1 | Series - Fundamental Quartz Crystal, 14.999MHz Nom | BBSC1-14.999MHZ-G1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5BSC1-16.000MHZ-I
ECS International Inc
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1 | Series - Fundamental Quartz Crystal, 16MHz Nom | H5BSC1-16.000MHZ-I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BTBSC1-15.000MHZ-G
ECS International Inc
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1 | Series - Fundamental Quartz Crystal, 15MHz Nom | BTBSC1-15.000MHZ-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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