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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP295
Infineon
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1 | MOSFET N-Channel 60V 1.8A SOT223 Infineon BSP295 N-channel MOSFET Transistor, 1.8 A, 60 V, 4-Pin SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | BSP295 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP297H6327XTSA1
Infineon
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1 | N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 | SOT223 (3-Pin) | BSP297H6327XTSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP295H6327XTSA1
Infineon
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1 | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | SOT223 (3-Pin) | BSP295H6327XTSA1 |
3
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BSP297
Infineon
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1 | INFINEON - BSP297. - Power MOSFET, N Channel, 200 V, 600 mA, 2 ohm, SOT-223, Surface Mount | SOT223 (3-Pin) | BSP297 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP296NH6327XTSA1
Infineon
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1 | Infineon BSP296NH6327XTSA1 N-channel MOSFET Transistor, 1.2 A, 100 V, 4-Pin SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | BSP296NH6327XTSA1 |
3
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BSP296N H6327
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-2 23-3 | SOT223 (3-Pin) | BSP296N H6327 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP295 H6327
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3 | SOT223 (3-Pin) | BSP295 H6327 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP296N H6433
Infineon
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1 | MOSFET SMALL SIGNAL N-CH | SOT223 (3-Pin) | BSP296N H6433 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP297 H6327
Infineon
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1 | 200V 660mA 1Ω@10V,0.66A 1.8W 1.8V 1 N-Channel SOT-223-4 MOSFETs ROHS | Other | BSP297 H6327 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP295E6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | BSP295E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP299H6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP299H6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP295L6327HTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4 | BSP295L6327HTSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP298-L6327
Infineon Technologies AG
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1 | 0.45A, 400V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN | BSP298-L6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP299
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP299 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP298E6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 400V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP298E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP297L6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP297L6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP299E-6327
Siemens
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1 | 0.4 A, 500 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN | BSP299E-6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP297H6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP297H6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP296E6327
Rochester Electronics LLC
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1 | 1A, 100V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN | BSP296E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP296L6327HTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 100V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP296L6327HTSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP298H6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 400V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP298H6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP296E6327
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | BSP296E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP299
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP299 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP295
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP295 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP297
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 200V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP297 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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