Showing 25 of 132 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP372L6327HTSA1
Infineon
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1 | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | BSP372L6327HTSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP373NH6327XTSA1
Infineon
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1 | MOSFETs N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3 | SOT223 (3-Pin) | BSP373NH6327XTSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP372NH6327XTSA1
Infineon
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1 | MOSFET SMALL SIGNAL N-CH | SOT223 (3-Pin) | BSP372NH6327XTSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP372N H6327
Infineon
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1 | Infineon BSP372N H6327 N-channel MOSFET Transistor, 1.8 A, 100 V, 3+Tab-Pin SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | BSP372N H6327 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP373N
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP373N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP372E6327
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | BSP372E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP373L6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP373L6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP373E6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP373E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP372L6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP372L6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP372
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP372 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP373
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP373 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP373E6327
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP373E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP373
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP373 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP373E-6327
Siemens
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1 | 1.7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | BSP373E-6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP372E-6327
Siemens
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1 | 1.7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | BSP372E-6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP372L6327
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.7A, 100V, 0.31ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4 | BSP372L6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP373NH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP373NH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP373L6327HTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP373L6327HTSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP373E6327
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | BSP373E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP372NH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP372NH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP372
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP372 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP372E6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP372E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AR13ABSP3740N
Viking Tech Corp
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.2W, 374ohm, 150V, 0.05% +/-Tol, -5,5ppm/Cel, 1209, | AR13ABSP3740N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S1206N751J2ABS-P37
IBS Electronics Inc
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1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 100V, 5% +Tol, 5% -Tol, NP0, -/+30ppm/Cel TC, 0.00075uF, 1206, | S1206N751J2ABS-P37 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S1206N201J2ABS-P37
IBS Electronics Inc
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1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 100V, 5% +Tol, 5% -Tol, NP0, -/+30ppm/Cel TC, 0.0002uF, 1206, | S1206N201J2ABS-P37 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||