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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ014NE2LS5IFATMA1
Infineon
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1 | INFINEON - BSZ014NE2LS5IFATMA1 - MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 25 V, 0.00125 ohm, 10 V, 2 V | Other | BSZ014NE2LS5IFATMA1 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ013NE2LS5IATMA1
Infineon
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1 | MOSFET LV POWER MOS | Other | BSZ013NE2LS5IATMA1 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ017NE2LS5IATMA1
Infineon
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1 | MOSFET TRENCH <= 40V | Other | BSZ017NE2LS5IATMA1 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ018NE2LS
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS | Other | BSZ018NE2LS |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ018N04LS6ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET TRENCH <= 40V | Other | BSZ018N04LS6ATMA1 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ011NE2LS5IATMA1
Infineon
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1 | MOSFET | Other | BSZ011NE2LS5IATMA1 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ019N03LSATMA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8 | BSZ019N03LSATMA1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ017NE2LS5I
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 25V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSDSON-8FL, 8 PIN | BSZ017NE2LS5I |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSIATMA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 25V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8 | BSZ018NE2LSIATMA1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSI
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 25V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8 | BSZ018NE2LSI |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ014NE2LS5IF
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 25V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSDSON-8FL, 8 PIN | BSZ014NE2LS5IF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ010NE2LS5ATMA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 212A I(D), 25V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSDSON-8 | BSZ010NE2LS5ATMA1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSIXT
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 25V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8 | BSZ018NE2LSIXT |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSATMA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 25V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8, 8 PIN | BSZ018NE2LSATMA1 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ011NE2LS5I
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, | BSZ011NE2LS5I |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ010NE2LS5
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, | BSZ010NE2LS5 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ019N03LS
Infineon
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1 | Infineon BSZ019N03LS N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 8-Pin TDSON | BSZ019N03LS |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ018N04LS6
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 40V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSDSON-8 | BSZ018N04LS6 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSZ013NE2LS5I
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 25V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSDSON-8FL, 8 PIN | BSZ013NE2LS5I |
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