Showing 25 of 113 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5661N-F085
onsemi
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1 | Typ Qg(TOT) = 14.5nC at VGS = 10V; RoHS Compliant; RDS(on) = 60mO at VGS = 4.5V, ID = 4A; Qualified to AEC Q101 ; RDS(on) = 47mO at VGS = 10V, ID = 4.3A; Low Miller Charge | SOT23 (6-Pin) | FDC5661N-F085 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5614P
onsemi
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1 | RDS(on) = 0.105 Ω @ VGS = -10 V ; Fast switching speed ; High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ; -3 A, -60 V ; RDS(on) = 0.135 Ω @ VGS = -4.5 V | SOT23 (6-Pin) | FDC5614P |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5612
onsemi
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1 | High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ; Fast switching speed ; 4.3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.055 Ω@ VGS = 10 V ; Low gate charge (12.5nC typical) ; SuperSOT™-6 package: small footprint (72% smaller than standard SO-8); low profile (1mm thick) ; RDS(ON) = 0.064 Ω @ VGS = 6 V | SOT23 (6-Pin) | FDC5612 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5614P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC5614P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5612D87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC5612D87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5612_F073
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC5612_F073 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5612_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC5612_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5661N
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA | FDC5661N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5612
Rochester Electronics LLC
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1 | 4300mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, SUPERSOT-6 | FDC5612 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5614P
Rochester Electronics LLC
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1 | 3000mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, SUPERSOT-6 | FDC5614P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5612T/R_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC5612T/R_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5614P_NF073
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC5614P_NF073 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5661N
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | N-Channel 60 V MOSFET with 7 A continuous drain current, 30 mOhm RDS(on) at 10 V VGS, available in STSOP-6 package, suitable for power management applications. | FDC5661N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5661N_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SUPERSOT-6 | FDC5661N_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5612S62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC5612S62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5614P_F095
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC5614P_F095 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5661N_F085
onsemi
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1 | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin SuperSOT T/R | FDC5661N_F085 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5614PS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC5614PS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5614PL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC5614PL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5614PD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC5614PD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5614PT/R_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC5614PT/R_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5612-F095
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC5612-F095 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5612_NF073
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC5612_NF073 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5612
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC5612 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC5614PD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC5614PD87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||