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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN306P
onsemi
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1 | Fast switching speed; RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = -2.5 V; SuperSOT™-3 provides low RDS(ON) and 30% higherpower handling capability than SOT23 in the samefootprint; High performance trench technology for extremelylow RDS(ON); RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = -4.5 V; RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = -1.8 V; -2.6 A, -12 V | SOT23 (3-Pin) | FDN306P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN308P
onsemi
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1 | Fast switching speed; SuperSOT™ -3 provides low RDS(ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the samefootprint; –20 A, –1.5 V. ; RDS(ON)= 125 mΩ @ VGS = –4.5 V ; RDS(ON) = 190 mΩ @ VGS = –2.5 V; High performance trench technology for extremelylow RDS(ON) | SOT23 (3-Pin) | FDN308P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN304P
onsemi
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1 | -2.4 A, -20 V; High performance trench technology for extremely low RDS(ON); SuperSOT TM -3 provides low RDS(ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the samefootprint; Fast switching speed; RDS(on) = 0.052 Ω @ VGS = -4.5 V; RDS(on) = 0.070 Ω @ VGS = -2.5 V; RDS(on) = 0.100 Ω @ VGS = -1.8 V | SOT23 (3-Pin) | FDN304P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN302P
onsemi
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1 | RDS(ON)= 0.055Ω @ VGS = –4.5 V ; High performance trench technology for extremely low RDS(ON); Fast switching speed; SuperSOT™ -3 provides low RDS(ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the samefootprint; RDS(ON) = 0.080Ω @ VGS = –2.5 V; –20 A, –2.4 V. | SOT23 (3-Pin) | FDN302P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN304PZ
onsemi
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1 | RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = -1.8V; RDS(ON) = 52 mΩ @ VGS = -4.5V; High performance trench technology for extremelylow RDS(ON); ESD protection diode; -2.4A, -20V; Fast switching speed; SuperSOT™ -3 provides low RDS(ON) and 30% higherpower handling capability than SOT23 in the samefootprint; RDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = -2.5V | SOT23 (3-Pin) | FDN304PZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN304P_NL
onsemi
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1 | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET | SOT23 (3-Pin) | FDN304P_NL |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN306P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN306P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN302P
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | P-Channel 20V -5A MOSFET in SOT-23 package with RDS(on) of 35 mOhm at VGS = -10V, featuring trench technology and suitable for load switches, PA switches, and DC/DC converters. | FDN302P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN306P-G
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN306P-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN304PL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN304PL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN304PZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN304PZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN306P-F095
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN306P-F095 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN304PD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN304PD87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN304P-NDAD003A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN304P-NDAD003A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN304P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN304P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN308PD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN308PD87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN302P
Rochester Electronics LLC
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1 | 2400mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-3 | FDN302P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN304PZ_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN304PZ_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN302PS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN302PS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN304PZ
Rochester Electronics LLC
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1 | 2400mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-3 | FDN304PZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN308P
Rochester Electronics LLC
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1 | 1500mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-3 | FDN308P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN304P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN304P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN304P_NBAD003A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN304P_NBAD003A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN302P-F095
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN302P-F095 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN308P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN308P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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