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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN337N
onsemi
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1 | Exceptional on-resistance and maximum DC current capability.; High density cell design for extremely low RDS(ON).; 2.2 A, 30 V RDS(ON) = 0.065 Ω @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 0.082 Ω @ VGS = 2.5 V.; Industry standard outline SOT-23 surface mount package using proprietary SuperSOT™-3 design for superior thermal and electrical capabilities. | SOT23 (3-Pin) | FDN337N |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN336P
onsemi
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1 | RDS(ON) = 0.20Ω @ VGS= -4.5 V; High performance trench technology for extremely low RDS(ON).; Low gate charge (3.6 nC typical).; RDS(ON) = 0.27 Ω @ VGS= -2.5 V ; SuperSOT™ -3 provides low RDS(ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 inthe same footprint; -1.3 A, -20 V. | SOT23 (3-Pin) | FDN336P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN338P
onsemi
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1 | Fast switching speed; RDS(ON) = 155 mΩ @ VGS = –2.5 V; RDS(ON)= 115 mΩ @ VGS = –4.5 V ; SuperSOT™ -3 provides low RDS(ON) and 30% higherpower handling capability than SOT23 in the samefootprint; High performance trench technology for extremely low RDS(ON); –1.6 A, –20 V | SOT23 (3-Pin) | FDN338P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN335N
onsemi
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1 | High power and current handling capability.; 1.7 A, 20 V; Low gate charge (3.5nC typical).; High performance trench technology for extremely lowRDS(ON).; RDS(on) = 0.07 Ω @ VGS = 4.5 V; RDS(on) = 0.100 Ω @ VGS = 2.5 V | SOT23 (3-Pin) | FDN335N |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN339AN
onsemi
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1 | High power and current handling capability.; High performance trench technology for extremely low RDS(ON) .; 3 A, 20 V; Low gate charge (7nC typical).; RDS(ON) = 0.035 Ω @ VGS = 4.5 V; RDS(ON) = 0.050 Ω @ VGS = 2.5 V. | SOT23 (3-Pin) | FDN339AN |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN338PX
onsemi
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0 | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | SOT23 (3-Pin) | FDN338PX |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN337N_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN337N_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN339AN
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN339AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN338P-T/R
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN338P-T/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN337NS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN337NS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN337N
Rochester Electronics LLC
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1 | 2200mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-3 | FDN337N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN338P-T/R
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN338P-T/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN337ND87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN337ND87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN335NS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN335NS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN335N
Rochester Electronics LLC
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1 | 1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-3 | FDN335N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN338P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN338P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN336P
Rochester Electronics LLC
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1 | 1300mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-3 | FDN336P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN337N
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN337N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN335N-NL
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | N-Channel 20 V MOSFET in SOT-23 package with 0.028 ohm RDS(on) at 4.5 V VGS, 6 A continuous drain current, and 8.8 nC gate charge, suitable for DC/DC converters and load switches. | FDN335N-NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN336P
Shikues Semiconductor
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1 | -20V/-2A, RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V, 150mΩ@VGS=-2.5V, SOT-23, Power Management, Portable Equipment. | FDN336P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN336P-G
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN336P-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN338PD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN338PD87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN335N_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN335N_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN338PL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN338PL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN336PL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN336PL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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