Showing 25 of 28 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N30
onsemi
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1 | Obsolete - Power MOSFET, N-Channel, QFET, 500 V, 9 A, 800 mΩ, TO-220 | Transistor Outline, Vertical | FQP9N30 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N90C
onsemi
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1 | Low gate charge ( Typ. 45nC); 8A, 900V, RDS(on) = 1.4Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 4A; Low Crss ( Typ. 14pF); 100% avalanche tested | Transistor Outline, Vertical | FQP9N90C |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N50C
onsemi
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1 | onsemitFQP9N50CtViewt3tTransistor Outline, Vertical | Transistor Outline, Vertical | FQP9N50C |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N90C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP9N90C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N30
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 300V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP9N30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N50
Rochester Electronics LLC
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1 | 9A, 500V, 0.73ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP9N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N50C-F080
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FQP9N50C-F080 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N50-F080
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FQP9N50-F080 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N25C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 250V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP9N25C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N25CTSTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP9N25CTSTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N50
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP9N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N08J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 80V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP9N08J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N08LJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 80V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP9N08LJ69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N50J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP9N50J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N50C
Rochester Electronics LLC
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1 | 9A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP9N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N30J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 300V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP9N30J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N15
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP9N15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N50C_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP9N50C_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N25
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 250V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP9N25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N50C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP9N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N08
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 80V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP9N08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N08
Rochester Electronics LLC
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1 | 9.3A, 80V, 0.21ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP9N08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N25
Rochester Electronics LLC
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1 | 9.4A, 250V, 0.42ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | FQP9N25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N08L
Rochester Electronics LLC
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1 | 9.3A, 80V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP9N08L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP9N08L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 80V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP9N08L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||