Showing 25 of 42 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQPF22P10
onsemi
|
1 | -13.2A, -100V, RDS(on) = 125mΩ(Max.) @VGS = -10 V, ID = -6.6A; 100% avalanche tested; Low gate charge ( Typ. 40nC); 175°C maximum junction temperature rating; Low Crss ( Typ. 160pF) | Transistor Outline, Vertical | FQPF22P10 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF2N80
onsemi
|
1 | 1.5A, 800V, RDS(on) = 6.3Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 0.75A; Low Crss ( Typ. 5.5pF); 100% avalanche tested; Low gate charge ( Typ. 12nC) | Transistor Outline, Vertical | FQPF2N80 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF20N06L
onsemi
|
1 | Low Crss ( Typ. 35pF); Low gate charge ( Typ. 9.5nC); 100% avalanche tested; 175°C maximum junction temperature rating; 15.7A, 60V, RDS(on) = 52mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 7.85A | Transistor Outline, Vertical | FQPF20N06L |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF27P06
onsemi
|
1 | -17A, -60V, RDS(on) = 26mΩ(Max.) @VGS = -10 V, ID = -8.5A; Low gate charge ( Typ. 33nC); Low Crss ( Typ. 120pF); 100% avalanche tested; 175°C maximum junction temperature rating | Transistor Outline, Vertical | FQPF27P06 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF2P25
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF2P25 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF2P40
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.34A I(D), 400V, 6.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF2P40 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF2NA90
Rochester Electronics LLC
|
1 | 1.7A, 900V, 5.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF2NA90 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF2N90
Rochester Electronics LLC
|
1 | 1.4A, 900V, 7.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF2N90 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF2NA90
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 5.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF2NA90 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF2P25
Rochester Electronics LLC
|
1 | 1.8A, 250V, 4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF2P25 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF2P40
Rochester Electronics LLC
|
1 | 1.34A, 400V, 6.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF2P40 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF2N30
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.34A I(D), 300V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF2N30 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF2N50
Rochester Electronics LLC
|
1 | 1.3A, 500V, 5.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF2N50 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF2N60
Rochester Electronics LLC
|
1 | 1.6A, 600V, 4.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF2N60 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF2N90
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF2N90 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF2N30
Rochester Electronics LLC
|
1 | 1.34A, 300V, 3.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF2N30 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF2N40
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 400V, 5.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF2N40 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF2N50
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 500V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF2N50 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF2N60
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF2N60 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF2N60C
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF2N60C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF28N15
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16.7A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF28N15 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF20N06
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF20N06 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF22N30
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 300V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF22N30 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF20N06
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF20N06 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQPF2N80
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 800V, 6.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF2N80 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||