Showing 25 of 31 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7N65C
onsemi
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1 | 100% avalanche tested; Low Crss ( Typ. 12pF); Low gate charge ( Typ. 28nC); 7A, 650V, RDS(on) = 1.4Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 3.5A | Transistor Outline, Vertical | FQPF7N65C |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7P20
onsemi
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1 | Low Crss ( Typ. 25pF); Low gate charge ( Typ. 19nC); -5.2A, -200V, RDS(on) = 0.69Ω(Max.) @VGS = -10 V, ID = -2.6A; 100% avalanche tested | Transistor Outline, Vertical | FQPF7P20 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF70N10
onsemi
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1 | 100% avalanche tested; "; 175°C maximum junction temperature rating"; Low Crss ( Typ. 150pF); Low gate charge ( Typ. 85nC); 35A, 100V, RDS(on) = 23mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 17.5A | Transistor Outline, Vertical | FQPF70N10 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7N10L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF7N10L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7P06
Rochester Electronics LLC
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1 | 5.3A, 60V, 0.41ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF7P06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7N30
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 300V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF7N30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7N10
Rochester Electronics LLC
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1 | 5.5A, 100V, 0.35ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF7N10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7N20L
Rochester Electronics LLC
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1 | 5A, 200V, 0.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF7N20L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7N20
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.8A, 200V, 0.69ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | FQPF7N20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7P20
Rochester Electronics LLC
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1 | 5.2A, 200V, 0.69ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF7P20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7N40
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.6A, 400V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF7N40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7N10
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF7N10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7N20L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF7N20L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7N40
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 400V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF7N40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7N10L
Rochester Electronics LLC
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1 | 5.5A, 100V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF7N10L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7N80
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF7N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7N80
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.8A, 800V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF7N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7N20
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF7N20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7P06
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 0.41ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF7P06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF70N10
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF70N10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7N65C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF7N65C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF70N08
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43.6A I(D), 80V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF70N08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7N65C-SW82256
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF7N65C-SW82256 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF7N65CYDTU
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF7N65CYDTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF70N10_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF70N10_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||