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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU13N10LTU
onsemi
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1 | ON SEMICONDUCTOR - FQU13N10LTU - MOSFET, N CH, 100V, 10A, TO-251AA-3 | Transistor Outline, Vertical | FQU13N10LTU |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQU13N06LTU-WS
onsemi
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1 | FQD13N06L / FQU13N06L N-Channel QFET® MOSFET 60 V, 11 A, 115 mΩ | Transistor Outline, Vertical | FQU13N06LTU-WS |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQU13N06LTU
onsemi
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1 | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin IPAK | Transistor Outline, Vertical | FQU13N06LTU |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQU13N06TU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, IPAK-3 | FQU13N06TU |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQU13N10LTU
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 100V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | FQU13N10LTU |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQU13N10TU
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | FQU13N10TU |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQU13N06TU_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, LEAD FREE, IPAK-3 | FQU13N06TU_NL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQU13N10TU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, IPAK-3 | FQU13N10TU |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQU13N06TU
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 60V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | FQU13N06TU |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQU13N06LTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | N-Channel QFET® MOSFET 60V, 11A, 115mΩ, TO251 (IPAK) MOLDED,3 LEAD, 5040/RAIL | FQU13N06LTU |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQU13N06
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, IPAK-3 | FQU13N06 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQU13N10LTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | N-Channel QFET® MOSFET 100V, 10A, 180mΩ, TO251 (IPAK) MOLDED,3 LEAD, 5040/RAIL | FQU13N10LTU |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQU13N06LTU_WS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, PLASTIC, IPAK-3 | FQU13N06LTU_WS |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQU13N10L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, DPAK-3 | FQU13N10L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQU13N10
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, IPAK-3 | FQU13N10 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQU13N06L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, IPAK-3 | FQU13N06L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQU13N06LTU_WS
onsemi
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1 | N-Channel QFET® MOSFET 60V, 11A, 115mΩ, TO-251 3L (IPAK), 30240-RAIL | FQU13N06LTU_WS |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQU13N06TU
onsemi
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0 | FQU13N06TU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQU13N06L
onsemi
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0 | FQU13N06L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQU13N10L
onsemi
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0 | FQU13N10L |
0
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Build or Request |