Showing 25 of 9453 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGP10N60TXKSA1
Infineon
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1 | IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A | Transistor Outline, Vertical | IGP10N60TXKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STGP10NC60HD
STMicroelectronics
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1 | 600 V - 10 A - very fast IGBT | Transistor Outline, Vertical | STGP10NC60HD |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STGP10M65DF2
STMicroelectronics
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1 | Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low-loss in TO-220 package | Transistor Outline, Vertical | STGP10M65DF2 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MYRGP105100W21RA
Murata Electronics
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1 | Non-Isolated DC/DC Converters 1A 2.5-5.5Vin 1.05Vout PWM | Other | MYRGP105100W21RA |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ECEC2GP101BJ
Panasonic
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1 | Panasonic 100μF 400 V Aluminium Electrolytic Capacitor, HA SNAP IN Series 2000h 22 Dia. x 30mm | Capacitor, Polarized Radial Diameter | ECEC2GP101BJ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EGP10B
onsemi
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1 | High surge current capability; Superfast recovery time for high efficiency; Low leakage current; Low forward voltage, high current capability | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | EGP10B |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MYRGP100100W21RA
Murata Electronics
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1 | Non-Isolated DC/DC Converters 1A 2.5-5.5Vin 1Vout PWM | Other | MYRGP100100W21RA |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STGP10H60DF
STMicroelectronics
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1 | STMicroelectronics STGP10H60DF, IGBT Transistor, 20 A 600 V, 1MHz, 3-Pin TO-220 | Transistor Outline, Vertical | STGP10H60DF |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGP10GE-E3/54
Vishay
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1 | Vishay RGP10GE-E3/54, Switching Diode, 400V 1A, 150ns, 2-Pin DO-204AL | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | RGP10GE-E3/54 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GP10Y-E3/54
Vishay
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1 | Rectifiers 1600 Volt 1.0 Amp 25 Amp IFSM | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | GP10Y-E3/54 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EGP10C-E3/54
Vishay
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1 | Vishay EGP10C-E3/54, Diode, 150V 1A, 50ns, 2-Pin DO-204AL | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | EGP10C-E3/54 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EGP10GE-E3/54
Vishay
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1 | Vishay EGP10GE-E3/54, Diode, 400V 1A, 50ns, 2-Pin DO-204AL | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | EGP10GE-E3/54 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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100E152GP1000XT
Kyocera AVX
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1 | • Case E Size (.380” x .380”)• Capacitance Range 1pF to 5100pF• Extended WVDC up to 7200 VDC• Low ESR/ESL• High Q• High RF Power• Ultra-Stable Performance• High RF Current/Voltage• Available with Encapsulation Option** For leaded styles only | Capacitor Chip Non-polarised | 100E152GP1000XT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGP10N60T
Infineon
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1 | IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A | Transistor Outline, Vertical | IGP10N60T |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STGP10NB60S
STMicroelectronics
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1 | IGBT N-ch 10A 600V PowerMESH TO220 | Transistor Outline, Vertical | STGP10NB60S |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EGP10K
onsemi
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1 | Superfast recovery time for high efficiency; Low leakage current; Low forward voltage, high current capability; High surge current capability | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | EGP10K |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EGP10C
onsemi
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1 | Low leakage current; Superfast recovery time for high efficiency; High surge current capability; Low forward voltage, high current capability | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | EGP10C |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGP10B
onsemi
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1 | High temperature metallurgically bonded construction. ; Fast switching for high efficiency.; Glass passivated cavity-free junction. ; Typical IR less than 1µA. ; 1.0 ampere operation at TA = 55°C with no thermal runaway. | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | RGP10B |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGP10J
onsemi
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1 | Glass passivated cavity-free junction. ; Fast switching for high efficiency.; Typical IR less than 1µA. ; 1.0 ampere operation at TA = 55°C with no thermal runaway. ; High temperature metallurgically bonded construction. | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | RGP10J |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DSPIC33FJ32GP104-I/PT
Microchip
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1 | + + + + + + + -+ + + ++++++++++++++++++++++++ - - +++++++ - - | Quad Flat Packages | DSPIC33FJ32GP104-I/PT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ECE-C2GP101BJ
Panasonic
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1 | Panasonic 100μF 400 V Aluminium Electrolytic Capacitor, HA SNAP IN Series 2000h 22 Dia. x 30mm | Capacitor, Polarized Radial Diameter | ECE-C2GP101BJ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STGP10NC60KD
STMicroelectronics
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1 | STGP10NC60KD, IGBT Transistor N-channel, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220 | Transistor Outline, Vertical | STGP10NC60KD |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STGP10NB60SD
STMicroelectronics
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1 | 16 A, 600 V, low drop IGBT with soft and fast recovery diode | Transistor Outline, Vertical | STGP10NB60SD |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EGP10D
onsemi
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1 | Superfast recovery time for high efficiency; High surge current capability; Low forward voltage, high current capability; Low leakage current | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | EGP10D |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MYRGP100100B21RA
Murata Electronics
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1 | Non-Isolated DC/DC Converters 1A 2.5-5.5Vin 1Vout PWM/PFM | Other | MYRGP100100B21RA |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||