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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GT-10
Cobham RFMW Solutions
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1 | Variable Attenuator, 250MHz Min, 500MHz Max, 1.8dB Insertion Loss-Max | GT-10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GT-10
Cobham PLC
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1 | RF/Microwave Attenuator, 250 MHz - 500 MHz RF/MICROWAVE VARIABLE ATTENUATOR, 1.8 dB INSERTION LOSS-MAX | GT-10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GT-100
FURUNO
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1 | 100 Watts, Switchmode Power Supply, Single Output, Enclosed, Universal Input -40 ~ +45°C | Other | GT-100 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MOVGT10V520K
Eaton
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1 | Varistors MOVGT - MOV & GDT Combination, 10 mm disc size, 520 V MCOV | Other | MOVGT10V520K |
3
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2SA1576U3HZGT106Q
ROHM Semiconductor
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1 | 1)Excellent hFE linearity.2)Complements the 2SC4081U3 HZG. | SOT23 (3-Pin) | 2SA1576U3HZGT106Q |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MAX17049G+T10
Analog Devices
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1 | Battery Management Host-Side Modelgauge (2-Cell) | Small Outline No-lead | MAX17049G+T10 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GT1003B
GOFORD
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1 | MOSFET N Channel 100V 7A 3V @ 250uA 140mΩ @ 3.5A,10V SOT-23 RoHS | SOT23 (3-Pin) | GT1003B |
3
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2SCR372PHZGT100Q
ROHM Semiconductor
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1 | NPN, SOT-89, 120V 0.7A, Medium Power Transistor for Automotive | Other | 2SCR372PHZGT100Q |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SAR642PHZGT100
ROHM Semiconductor
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1 | PNP, -30V -10A, SOT-89, Automotive Grade Transistor for Gate Drive | Other | 2SAR642PHZGT100 |
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MAX17048G+T10
Analog Devices
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1 | 3µA 1-Cell/2-Cell Fuel Gauge with ModelGauge | Small Outline No-lead | MAX17048G+T10 |
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BSS138WAHZGT106
ROHM Semiconductor
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1 | Nch 60V 310mA, SOT-323, Small Signal MOSFET for Automotive | Other | BSS138WAHZGT106 |
3
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1 | Transformers for BMS, Tightly Coupled, 140 to 333μH, TR=1:1:1:1/002 | Other | VGT10/9EE-X01S1P4 |
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2SAR372PHZGT100R
ROHM Semiconductor
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1 | Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -120V -0.7A, Middle Power Transistor for Automotive | Other | 2SAR372PHZGT100R |
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EPM240GT100C3N
Intel
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1 | IC CPLD FLASH 192 MACROCELL | Quad Flat Packages | EPM240GT100C3N |
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2SC5876U3HZGT106
ROHM Semiconductor
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1 | TRANS, NPN, 60V, 0.5A, 150DEG C, 0.2W | Other | 2SC5876U3HZGT106 |
3
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DTA144EU3HZGT106
ROHM Semiconductor
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1 | PNP, SOT-323, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive | Other | DTA144EU3HZGT106 |
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NC2600GT100AE4S
Nisshinbo
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1 | ⚫ Input Voltage Range (Maximum Rating):2.3 V to 5.5 V (6.5 V)⚫ Operating Temperature Range: −40 °C to 85 °C⚫ Output Voltage Range:Fixed Output Voltage Type: 0.6 V to 3.3 VAdjustable Output Voltage Type: 0.6 V to 5.5 V⚫ Output Voltage Accuracy: ±1.5% (VSET ≥ 1.2 V)±18 mV (VSET < 1.2 V)⚫ Feedback Voltage Accuracy: ±9 mV⚫ Quiescent Current: Typ. 17 µA⚫ Switching Frequency: Typ.4.0 MHz (VSET = 1.8 V)⚫ UVLO Detection Voltage: Typ.2.0 V⚫ Soft-Start Time: Typ. 0.15 ms When CSS is open.⚫ T | Small Outline No-lead | NC2600GT100AE4S |
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2SCR514PHZGT100
ROHM Semiconductor
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1 | NPN, SOT-89, 80V 0.7A, Medium Power Transistor for Automotive | Other | 2SCR514PHZGT100 |
3
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DF40GT-10DP-0.4V(51)
Hirose
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1 | 10 Position Connector Plug, Outer Shroud Contacts Surface Mount Gold 1.97µin (0.050µm) | Other | DF40GT-10DP-0.4V(51) |
2
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R4P020N06HZGT100
ROHM Semiconductor
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1 | MOSFETs R4P020N06HZG is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for Switching | Other | R4P020N06HZGT100 |
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EPM570GT100I5N
Intel
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1 | IC CPLD 440MC 5.4NS 100TQFP Section I. MAX II Device Family Data | Quad Flat Packages | EPM570GT100I5N |
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S29GL01GT10FHI010
Infineon
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1 | 1 Gb (128 MB)/512 Mb (64 MB) GL-T MIRRORBIT™ Flash Parallel, 3.0 V | BGA | S29GL01GT10FHI010 |
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UM2222AU3HZGT106
ROHM Semiconductor
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1 | NPN, SOT-323, 40V 0.6A, Medium Power Transistor for Switching for Automotive | Other | UM2222AU3HZGT106 |
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UMT4401U3HZGT106
ROHM Semiconductor
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1 | NPN, SOT-323, 40V 0.6A, Medium Power Transistor for Switching for Automotive | Other | UMT4401U3HZGT106 |
3
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DTC143EU3HZGT106
ROHM Semiconductor
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1 | NPN, SOT-323, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive | Other | DTC143EU3HZGT106 |
3
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