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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B04FU-GR,LF
Toshiba
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1 | Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp | Other | HN1B04FU-GR,LF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B04FU-Y,LXHF
Toshiba
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1 | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) | Other | HN1B04FU-Y,LXHF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B04FU-Y,LF
Toshiba
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1 | Bipolar Transistors - BJT LF Transistor +/-.15A +/-50V | Other | HN1B04FU-Y,LF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B04FE
Toshiba
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1 | PNP + NPN Bipolar Transistor, -50 V/50 V, -0.15 A/0.15 A, SOT-563(ES6) | Other | HN1B04FE |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B01FDW1T1G
onsemi
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1 | High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA; High hFE: hFE = 200-400; Moisture Sensitivity Level: 1; ESD Rating - Human Body Model: 3A - Machine Model: C; Pb-Free Package is Available; S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable | SOT23 (6-Pin) | HN1B01FDW1T1G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B04FE-GR,LF
Toshiba
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1 | Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp | SO Transistor Flat Lead | HN1B04FE-GR,LF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B01FU
Toshiba
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1 | PNP + NPN Bipolar Transistor, -50 V/50 V, -0.15 A/0.15 A, SOT-363(US6) | Other | HN1B01FU |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B04FE-Y,LF
Toshiba
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1 | Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp | SO Transistor Flat Lead | HN1B04FE-Y,LF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B04FU
Toshiba
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1 | PNP + NPN Bipolar Transistor, -50 V/50 V, -0.15 A/0.15 A, SOT-363(US6) | Other | HN1B04FU |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B01F
Toshiba
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1 | PNP + NPN Bipolar Transistor, -50 V/50 V, -0.15 A/0.15 A, SOT-26(SM6) | Other | HN1B01F |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B01FU-GR(TE85L,F)
Toshiba
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1 | Bipolar Transistors Silicon PNP/NPN Epitaxial Type | Other | HN1B01FU-GR(TE85L,F) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SHN1B01FDW1T1G
onsemi
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1 | High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA; High hFE: hFE = 200-400; Moisture Sensitivity Level: 1; ESD Rating - Human Body Model: 3A - Machine Model: C; Pb-Free Package is Available; S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable | SOT23 (6-Pin) | SHN1B01FDW1T1G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B04FUGR(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | HN1B04FUGR(TE85L) | HN1B04FUGR(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B01FGRTE85L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon | HN1B01FGRTE85L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B01F-Y
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3N1A, SM6, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal | HN1B01F-Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B01FY
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, | HN1B01FY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B04FU-Y(TE85LF
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor | HN1B04FU-Y(TE85LF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B01FDW1T1
onsemi
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon | HN1B01FDW1T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B01FU-GR,LXHF
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor | HN1B01FU-GR,LXHF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B01FU-Y
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon | HN1B01FU-Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B01FU-GR,LF
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor | HN1B01FU-GR,LF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B01FU-Y,LXHF
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor | HN1B01FU-Y,LXHF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B01FTE85L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon | HN1B01FTE85L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B01FUYTE85N
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon | HN1B01FUYTE85N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HN1B01F-Y(T5LMAA,F
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon | HN1B01F-Y(T5LMAA,F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||