Showing 25 of 34 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB057N06N
Infineon
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1 | Infineon IPB057N06N N-channel MOSFET Transistor, 45 A, Minimum of 60 V, 3-Pin TO-263 | Other | IPB057N06N |
2
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB054N08N3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3 | Other | IPB054N08N3GATMA1 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB057N06NATMA1
Infineon
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1 | IPB057N06NATMA1 N-Channel MOSFET, 45 A, 60 V OptiMOS 5, 3-Pin D2PAK Infineon | Other | IPB057N06NATMA1 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB054N06N3 G
Infineon
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1 | Infineon IPB054N06N3 G N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 60 V, 3-Pin TO-263 | Other | IPB054N06N3 G |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB05N03L
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB05N03L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB05N03LA
Rochester Electronics LLC
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1 | 80A, 25V, 0.0078ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB05N03LA |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB05N03LA-E6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 25V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB05N03LA-E6327 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB05N03LA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 25V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB05N03LA |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB052N04NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB052N04NG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB05N03LB
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB05N03LB |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB054N08N3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB054N08N3GXT |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB055N03LGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB055N03LGXT |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB055N03LGATMA1
Infineon
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1 | IPB055N03LGATMA1 N-Channel MOSFET, 50 A, 30 V OptiMOS 3, 3-Pin D2PAK Infineon | IPB055N03LGATMA1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB055N03LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB055N03LG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB054N06N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB054N06N3G |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB050N06NGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB050N06NGATMA1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB051NE8NG
Rochester Electronics LLC
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1 | 100A, 85V, 0.0051ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB051NE8NG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB05N03LAG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 25V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB05N03LAG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB054N06N3GATMA1
Infineon
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1 | IPB054N06N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V OptiMOS 3, 3-Pin D2PAK Infineon | IPB054N06N3GATMA1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB052N04NGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB052N04NGATMA1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB051NE8NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 85V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB051NE8NG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB050N06N
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB050N06N |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB050N06NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB050N06NG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB054N08N3G
Infineon
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1 | Infineon IPB054N08N3G N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 80 V, 3-Pin TO-263 | IPB054N08N3G |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB05CN10NGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB05CN10NGATMA1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||