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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R115CFD7A
Infineon
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1 | 650VCoolMOSªCFD7ASJPowerDevice | Other | IPB65R115CFD7A |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R095C7ATMA2
Infineon
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1 | MOSFET | Other | IPB65R095C7ATMA2 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R110CFDAATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2 | Other | IPB65R110CFDAATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R045C7
Infineon
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1 | Infineon IPB65R045C7 MOSFET Transistor | Other | IPB65R045C7 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R190CFD
Infineon
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1 | Infineon IPB65R190CFD N-channel MOSFET Transistor, 17.5 A, 700 V, 3-Pin TO-263 | Other | IPB65R190CFD |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R420CFD
Infineon
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1 | Infineon IPB65R420CFD N-channel MOSFET Transistor, 8.7 A, 700 V, 3-Pin TO-263 | Other | IPB65R420CFD |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R190C7ATMA2
Infineon
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1 | MOSFET HIGH POWER_NEW | Other | IPB65R190C7ATMA2 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R150CFDAATMA1
Infineon
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1 | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Other | IPB65R150CFDAATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R660CFDA
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 650V 6A D2PAK-2 | Other | IPB65R660CFDA |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R155CFD7ATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 15A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 | Other | IPB65R155CFD7ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R099CFD7AATMA1
Infineon
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1 | MOSFET AUTOMOTIVE N-Channel 650 V 24A (Tc) 127W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 | Other | IPB65R099CFD7AATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R041CFD7ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET HIGH POWER_NEW | Other | IPB65R041CFD7ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R075CFD7AATMA1
Infineon
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1 | 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A | Other | IPB65R075CFD7AATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R145CFD7AATMA1
Infineon
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1 | Transistor MOSFET N-Channel 650V 17A 3-Pin TO263 T/R | Other | IPB65R145CFD7AATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R050CFD7AATMA1
Infineon
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1 | MOSFET AUTOMOTIVE | Other | IPB65R050CFD7AATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R115CFD7AATMA1
Infineon
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1 | Power MOSFET, N Channel, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | Other | IPB65R115CFD7AATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R190CFD7AATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 14A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 | Other | IPB65R190CFD7AATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R660CFD
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R660CFD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R099C6ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R099C6ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R050CFD7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 650V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R050CFD7A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R280E6ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R280E6ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R310CFDAATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 650V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R310CFDAATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R225C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPB65R225C7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R125C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 650V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R125C7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB65R190C6ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB65R190C6ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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