Showing 25 of 40 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70N10S3L-12
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T | Other | IPB70N10S3L-12 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70N12S311ATMA1
Infineon
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1 | 120V, N-Ch, 11.3 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T | Other | IPB70N12S311ATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70P04P4-09
Infineon
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1 | Infineon IPB70P04P4-09 P-channel MOSFET Module, 72 A, -40 V, 3-Pin TO-263 | Other | IPB70P04P4-09 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70N04S4-06
Infineon
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1 | N-channel MOSFET Module, 70 A, 40 V, 3-Pin TO-263 | Other | IPB70N04S4-06 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70P04P4L-08
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB70P04P4L-08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70N10S3L12ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB70N10S3L12ATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70P04P409ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IPB70P04P409ATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70N10SL-16
Infineon
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1 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 70A I(D), 100V, 0.025OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB | IPB70N10SL-16 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70N12S3L12ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB70N12S3L12ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70N04S307ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 40V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPB70N04S307ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70N10SL16XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB70N10SL16XT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70N04S3-07
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB70N04S3-07 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70N12S3-11
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB70N12S3-11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70N10SL16ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB70N10SL16ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70N04S406XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB70N04S406XT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70N10S312XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB70N10S312XT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70P04P409XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 40V, 0.0094ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB70P04P409XT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70N12S3L-12
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IPB70N12S3L-12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70N10S3L12ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB70N10S3L12ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70N10S3-12
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB70N10S3-12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70N10S312ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB70N10S312ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70N04S406ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB70N04S406ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70N04S4-06
Rochester Electronics LLC
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1 | 70A, 40V, 0.0062ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB70N04S4-06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70P04P409ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 40V, 0.0094ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB70P04P409ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB70N10S312ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB70N10S312ATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||