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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 700 V 4A (Tc) 6.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 | Other | IPN70R1K4P7SATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R750P7SATMA1
Infineon
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1 | MOSFET 700VCoolMOSªP7PowerTransistor | Other | IPN70R750P7SATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R2K1CEATMA1
Infineon
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1 | MOSFET CONSUMER | Other | IPN70R2K1CEATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R2K1CE
Infineon
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1 | N-Channel Power MOSFEt VDS max: 750V, RDS (on) max: 2.1 mΩ, Qg,typ: 7.8nC, ID,pulse: 6.3A, Eoss @ 400V: 0.9µJ, Body diode diF/dt: 500A/µs, SMT, Package: PG-SOT223 | Other | IPN70R2K1CE |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R1K0CE
Infineon
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1 | 700VCoolMOS CE PowerTransistor VDS max: 750V, RDS (on) max: 1Ω, Qg,typ: 15.2nC, ID,pulse: 12.7A, Eoss @ 400V: 1.5µJ, Body diode diF/dt: 500A/µs, SMT, Package: PG-SOT223 | Other | IPN70R1K0CE |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R360P7S
Infineon
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1 | Transistor=N-Channel Power MOSFET, ID=12.5A, IDpuls=34A, Mounting=SMT, Temperature=-40°C 150°C, Ptot=7.2W, Package=SOT-223, QG=16.4nC, Qgd=6nC, RDS=360mΩ, RthJA=160K/W, VDS=700V, VGS=2.5V 3.5V | Other | IPN70R360P7S |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R1K5CE
Infineon
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1 | Transistor=N-Channel Power MOSFET, ID=5.4A, IDpuls=8.8A, Mounting=SMT, Temperature=-40°C 150°C, Ptot=5W, Package=SOT-223, QG=10.5nC, Qgd=5.8nC, RDS=1500mΩ, RthJA=75K/W, VDS=700V, VGS=2.5V 3.5V | Other | IPN70R1K5CE |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R1K5CEATMA1
Infineon
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1 | INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - MOSFET, N-CH, 700V, 5.4A, SOT-223-3 | Other | IPN70R1K5CEATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R360P7SATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 700 V 12.5A (Tc) 7.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 -40°C ~ 150°C 517 pF @ 400 V 3.5V @ 150µA 360mOhm @ 3A, 10V | Other | IPN70R360P7SATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R2K0P7S
Infineon
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1 | 700VCoolMOSªP7PowerTransistor, VDS @ Tj=25°C-700V, RDS(on),max-2.0Ω, Qg,typ-3.8nC, ID,pulse-5.7A, Eoss @ 400V-0.4µJ, V(GS)th,typ-3V | Other | IPN70R2K0P7S |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R1K2P7S
Infineon
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1 | Transistor=N-Channel Power MOSFET, IDpuls=9.8A, Mounting=SMT, Temperature=-40°C 150°C, Ptot=6.3W, Package=SOT-223, QG=13nC, Qgd=6.5nC, RDS=1000mΩ, RthJA=75K/W, VDS=700V, VGS=2.5V 3.5 | Other | IPN70R1K2P7S |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R900P7S
Infineon
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1 | N-Channel Power MOSFET VDS max: 700V, RDS (on) max: 0.9Ω, Qg,typ: 6.8nC, ID,pulse: 12.8A, Eoss @ 400V: 0.9µJ, SMT, Package: PG-SOT223 | Other | IPN70R900P7S |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R1K4P7S
Infineon
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1 | N-Channel Power MOSFET, VDS max: 700V, RDS (on) max: 1400mΩ, Qg,typ:4.7nC, ID,pulse:8.2A, Eoss @ 400V:0.6µJ, SMT, Package: PG-SOT223 | Other | IPN70R1K4P7S |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R1K2P7SATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 700 V 4.5A (Tc) 6.3W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 | Other | IPN70R1K2P7SATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R450P7SATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 700 V 10A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 | Other | IPN70R450P7SATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R600P7S
Infineon
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1 | 700VCoolMOS P7PowerTransistor VDS max: 700V, RDS (on) max: 0.6Ω, Qg,typ: 10.5nC, ID,pulse: 20.5A, Eoss @ 400V: 1.2µJ, SMT, Package: PG-SOT223 | Other | IPN70R600P7S |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R900P7SATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-CH 700V 6A SOT223 | Other | IPN70R900P7SATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R600P7SATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 700 V 8.5A (Tc) 6.9W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 | Other | IPN70R600P7SATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R750P7S
Infineon
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1 | N-Channel 700 V 6A (Tc) 6.5W (Tc), Tj,Tstg,-40 to 150, IS-2.0A ,IS,pulse-15.4A Surface Mount PG-SOT223 | Other | IPN70R750P7S |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R450P7S
Infineon
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | Other | IPN70R450P7S |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R1K0CEATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPN70R1K0CEATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPN70R2K0P7SATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 700 V 3A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 | IPN70R2K0P7SATMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KNP100JTIPN706R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 1W, 706ohm, 5% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, | KNP100JTIPN706R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KNP2WSJRIPN70R6
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 2W, 70.6ohm, 5% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, | KNP2WSJRIPN70R6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KNP2WSJTIPN70R6
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 2W, 70.6ohm, 5% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, | KNP2WSJTIPN70R6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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