Showing 25 of 420 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF830
STMicroelectronics
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1 | This power MOSFET is designed using the\r\ncompany’s consolidated strip layout-based MESH\r\nOVERLAY process. This technology matches\r\nand improves the performances compared with\r\nstandard parts from various sources. | Transistor Outline, Vertical | IRF830 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830
Motorola
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1 | N-Channel MOSFET 500V 4.5A TO-220 Current, 4.5 A ; Maximum Gate Source Voltage, ±20V ; Power Dissipation, 100 W | Transistor Outline, Vertical | IRF830 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830APBF
Vishay
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1 | Power MOSFET | Transistor Outline, Vertical | IRF830APBF |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830STRLPBF
Vishay
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1 | MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp | Other | IRF830STRLPBF |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830ASPBF
Vishay
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1 | IRF830ASPBF, N-channel MOSFET Transistor 5 A 500 V, 3-Pin D2PAK | TO-XXX (Inc. DPAK) | IRF830ASPBF |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830
Vishay
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1 | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk | Transistor Outline, Vertical | IRF830 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF8313TRPBF
Infineon
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1 | Infineon IRF8313TRPBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 9.7 A, 30 V, 8-Pin SOIC | Small Outline Packages | IRF8313TRPBF |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830A
FAIRCHILD INDUSTRIAL
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,4.5A I(D),TO-220AB | Transistor Outline, Vertical | IRF830A |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830CF
Texas Instruments
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1 | IRF830CF | IRF830CF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830
Texas Instruments
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1 | IRF830 | IRF830 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF833-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF833-006 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF831-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF831-009 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF8327SPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3 | IRF8327SPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF831-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF831-006 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF832-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF832-011 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF831-006PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 4.5A, 450V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF831-006PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF832-001PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 4A, 500V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF832-001PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF830R |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF833-010
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF833-010 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF831-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 4.5A, 450V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF831-011PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF832
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF832 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF833
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRF833 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF832-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF832-012PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF830T
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830T |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF832
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 4A, 500V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | IRF832 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||