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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR320TRPBF
Vishay
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1 | VISHAY - IRFR320TRPBF - Power MOSFET, N Channel, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount | Other | IRFR320TRPBF |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR320TRPBF-BE3
Vishay
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1 | MOSFET N-CHANNEL 400V | Other | IRFR320TRPBF-BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR3710ZTRLPBF
Infineon
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1 | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 69nC | Other | IRFR3710ZTRLPBF |
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IRFR3910TRPBF
Infineon
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1 | N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK) 115mOhm Surface Mount -55°C ~ 175°C (TJ) | Other | IRFR3910TRPBF |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR3910PBF
Infineon
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1 | MOSFET N-Channel 100V 16A DPAK Infineon IRFR3910PBF N-channel MOSFET Transistor, 16 A, 100 V, 3-Pin DPAK | Other | IRFR3910PBF |
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IRFR3410TRPBF
Infineon
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1 | MOSFET 100V SINGLE N-CH 39mOhms 37nC | Other | IRFR3410TRPBF |
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IRFR310TRPBF
Vishay
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1 | N-Channel 400 V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount DPAK , 12 nC @ 10 V , 170 pF , -55°C ~ 150°C | Other | IRFR310TRPBF |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR3708TRPBF
Infineon
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1 | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC | Other | IRFR3708TRPBF |
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IRFR3710ZPBF
Infineon
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1 | N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak | Other | IRFR3710ZPBF |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR310TRLPBF
Vishay
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1 | N-Channel 400 V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount DPAK , -55°C ~ 150°C (TJ) | Other | IRFR310TRLPBF |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFR3806TRL
Infineon
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1 | N-Channel 60 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK) | Other | AUIRFR3806TRL |
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IRFR3412TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR3412TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR3505HR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR3505HR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR3709ZTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR3709ZTRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR321
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR321 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR3711ZTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR3711ZTRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR3418TRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 80V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR3418TRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR320ATM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR320ATM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR3711TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR3711TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR3707ZPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR3707ZPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR3504PTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 40V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR3504PTRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR3707ZTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR3707ZTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR330BTM_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IRFR330BTM_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR3710ZTRPBF
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | N-Channel 100-V MOSFET in TO-252 package with 60 A continuous drain current, 0.0185 ohm RDS(on) at 10 V VGS, and 38 nC gate charge, suitable for primary side switch and isolated DC/DC converter applications. | IRFR3710ZTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR322
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR322 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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