Showing 25 of 244 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4010PBF
Infineon
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1 | Infineon IRFS4010PBF N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 100 V, 3-Pin D2PAK | Other | IRFS4010PBF |
3
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IRFS4115TRL7PP
Infineon
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1 | Infineon IRFS4115TRL7PP N-channel MOSFET, 105 A, 150 V HEXFET, 7+Tab-Pin D2PAK | Other | IRFS4115TRL7PP |
2
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IRFS4227TRLPBF
Infineon
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1 | Infineon IRFS4227TRLPBF N-Channel MOSFET, 62 A, 200 V HEXFET, 3-Pin D2PAK | Other | IRFS4227TRLPBF |
3
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IRFS4010TRLPBF
Infineon
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1 | N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK | Other | IRFS4010TRLPBF |
2
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IRFS4229TRLPBF
Infineon
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1 | MOSFET MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg | Other | IRFS4229TRLPBF |
2
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IRFS4227PBF
Infineon
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1 | MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK | Other | IRFS4227PBF |
3
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IRFS4115-7PPBF
Infineon
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1 | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | Other | IRFS4115-7PPBF |
3
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IRFS4010TRL7PP
Infineon
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1 | IRFS4010TRL7PP N-Channel MOSFET, 190 A, 100 V HEXFET, 7 + Tab-Pin D2PAK Infineon | Other | IRFS4010TRL7PP |
2
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IRFS4321TRL7PP
Infineon
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1 | Infineon IRFS4321TRL7PP N-channel MOSFET, 86 A, 150 V HEXFET, 7+Tab-Pin D2PAK | Other | IRFS4321TRL7PP |
2
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IRFS440A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS440A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS443
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS443 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4115
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 99A I(D), 150V, 0.0121ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS4115 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS440
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS440 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4229PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 250V, 0.048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS4229PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4710TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS4710TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS453
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 450V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS453 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS450B
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.6A I(D), 500V, 0.39ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS450B |
0
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IRFS4020TRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS4020TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS41N15DTRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS41N15DTRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4410ZPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 97A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS4410ZPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4410
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS4410 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4710PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS4710PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4310ZTRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS4310ZTRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4310ZTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS4310ZTRRPBF |
0
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IRFS42N20DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42.6A I(D), 200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS42N20DPBF |
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