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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200T4G
onsemi
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1 | Annular Construction for Low Leakage - ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB; Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("-1" Suffix); Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel ("T4" Suffix); High Current-Gain - Bandwidth Product - fT = 65 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc; Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix); Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc; Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ I C = 500 mAdc = 0.75 Vdc (Max | Other | MJD200T4G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200RLG
onsemi
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1 | Annular Construction for Low Leakage - ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB; Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("-1" Suffix); Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel ("T4" Suffix); High Current-Gain - Bandwidth Product - fT = 65 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc; Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix); Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc; Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ I C = 500 mAdc = 0.75 Vdc (Max | Other | MJD200RLG |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200-1
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD200-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200T4
STMicroelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD200T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD200 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200I
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD200I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD200 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200-I
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, IPAK-3 | MJD200-I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200-1
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,5A I(C),TO-221 | MJD200-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252 | MJD200 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200G
onsemi
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1 | Annular Construction for Low Leakage - ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB; Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("-1" Suffix); Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel ("T4" Suffix); High Current-Gain - Bandwidth Product - fT = 65 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc; Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix); Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc; Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ I C = 500 mAdc = 0.75 Vdc (Max | MJD200G |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD200 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD200TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200T4
Rochester Electronics LLC
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1 | 5A, 25V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 369A, DPAK-3 | MJD200T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200
STMicroelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD200 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200RL
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD200RL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200T4
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD200T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200-1
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD200-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200T4
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD200T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200RL
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252 | MJD200RL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD200RL
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 1-Element, NPN | MJD200RL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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