Showing 25 of 139 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
onsemi
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1 | Obsolete - High Voltage NPN Bipolar Transistor | SOT23 (3-Pin) | MMBT5551 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
Rectron
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1 | Bipolar Transistors - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V,HighVolt | SOT23 (3-Pin) | MMBT5551 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
Diodes Incorporated
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1 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3 ,-55°C ~ 150°C | SOT23 (3-Pin) | MMBT5551 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
TAITRON COMPONENTS
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1 | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R | SOT23 (3-Pin) | MMBT5551 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
Diotec
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1 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 300MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) , 300 MHz , -55°C ~ 150°C (TJ) | Other | MMBT5551 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
Rochester Electronics
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1 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3 | SOT23 (3-Pin) | MMBT5551 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
Lite-On Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | MMBT5551 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
Infinex
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | MMBT5551 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
SY Sinyork Co Ltd
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1 | Transistor | MMBT5551 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,NPN,140V V(BR)CEO,600MA I(C),TO-236AA | MMBT5551 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
NTE Electronics Inc
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | MMBT5551 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
EDI Diodes (Electronic Devices Inc)
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN, Silicon | MMBT5551 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
Microdiode Semiconductor (MDD)
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1 | SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors, NPN, BASE, EMITTER, COLLECTOR. | MMBT5551 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
AK Semiconductor
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1 | NPN transistor in SOT-23 package with 160V collector-emitter breakdown voltage, 0.6A continuous collector current, 300mW power dissipation, and DC current gain (hFE) ranging from 100 to 300 at 1.0mA collector current. | MMBT5551 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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1 | Transistor, | MMBT5551 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
Weitronic Enterprise Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | MMBT5551 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | MMBT5551 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | MMBT5551 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
CREATEK Microelectronics
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1 | High voltage NPN transistor in SOT-23 package, with 160 V collector-emitter breakdown voltage, 600 mA collector current, 300 mW power dissipation, and DC current gain ranging from 100 to 300. | MMBT5551 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | NPN bipolar transistor in SOT-23 package, with 160 V collector-emitter voltage, 600 mA collector current, 300 mW power dissipation, and DC current gain ranging from 100 to 300, suitable for medium power amplification and switching applications. | MMBT5551 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
Texas Instruments
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1 | 200mA, 160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB | MMBT5551 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
National Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB | MMBT5551 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
MCC
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1 | Small Signal Bipolar Transistors | MMBT5551 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
Secos Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | MMBT5551 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5551
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | MMBT5551 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||