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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJD020N08HLTWG
onsemi
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1 | Low RS (ON) resistance; High current capability; 100% avalanche tested; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; RoHS Compliant | Other | NVMJD020N08HLTWG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJD027N06CLTWG
onsemi
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1 | Small Footprint (5x6 mm); Low rDS(on); Low QG and Capacitance; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; RoHS Compliant | Other | NVMJD027N06CLTWG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJD4D7N04CLTWG
onsemi
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1 | Small Footprint (5x6 mm); Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses; Low QG and Capacitance; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; RoHS Compliant | Other | NVMJD4D7N04CLTWG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJD010N10MCLTWG
onsemi
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1 | Small Footprint (5x6 mm); Low RDS (ON); Low QG and Capacitance; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable; These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, Beryllium Free and are RoHS Compliant | Other | NVMJD010N10MCLTWG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJD027N06CL
onsemi
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1 | Dual N-Channel Power MOSFET 60V, 21A, 27 mohm | Other | NVMJD027N06CL |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJD012N06CL
onsemi
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1 | Dual N?Channel Power MOSFET 60V, 42A, 11.9m? | Other | NVMJD012N06CL |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJD015N06CL
onsemi
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1 | Dual N?Channel Power MOSFET 60V, 35A, 15m? | Other | NVMJD015N06CL |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJD027N10MCLTWG
onsemi
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1 | Small Footprint (5x6 mm); Low RDS (ON); Low QG and Capacitance; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable; These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, Beryllium Free and are RoHS Compliant | Other | NVMJD027N10MCLTWG |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJD036N10MCLTWG
onsemi
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1 | Small Footprint (5x6 mm); Low RDS (ON); Low QG and Capacitance; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable; These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, Beryllium Free and are RoHS Compliant | Other | NVMJD036N10MCLTWG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJD5D4N04CTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 40V, 0.0058ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMJD5D4N04CTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJD015N06CLTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.1A I(D), 60V, 0.024ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMJD015N06CLTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJD7D4N04CLTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.0126ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMJD7D4N04CLTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJD015N04CLTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 40V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMJD015N04CLTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJD2D7N04CLTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 121A I(D), 40V, 0.0039ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMJD2D7N04CLTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJD025N04CTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21.5A I(D), 40V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMJD025N04CTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJD8D1N04CTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 40V, 0.0088ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMJD8D1N04CTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJD012N06CLTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 60V, 0.0168ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMJD012N06CLTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJD016N06CTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 60V, 0.016ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMJD016N06CTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVMJD3D0N04CTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24.6A I(D), 40V, 0.0029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVMJD3D0N04CTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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