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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05L
onsemi
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1 | UIS Rating Curve; Peak Current vs Pulse Width Curve; Temperature Compensating PSPICE® Model; rDS(ON)= 0.100Ω; Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface MountComponents to PC Boards”; 175°C Operating Temperature; Can be Driven Directly from CMOS, NMOS, andTTL Circuits; 14A, 50V | Transistor Outline, Vertical | RFD14N05L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05L
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD14N05L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05L
Rochester Electronics LLC
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1 | 14A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, TO-251, 3 PIN | RFD14N05L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05L
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD14N05L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05L
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFD14N05L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD14N05L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05LSM9A
onsemi
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1 | N-Channel 50 V 14A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C | Other | RFD14N05LSM9A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05LSM
onsemi
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1 | Can be Driven Directly from CMOS, NMOS, andTTL Circuits; Peak Current vs Pulse Width Curve; 14A, 50V; Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface MountComponents to PC Boards”; rDS(ON)= 0.100Ω; 175°C Operating Temperature; UIS Rating Curve; Temperature Compensating PSPICE® Model | Other | RFD14N05LSM |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05LSM
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFD14N05LSM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05LSM9A
Rochester Electronics LLC
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1 | 14A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, 3 PIN | RFD14N05LSM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05LSM9A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD14N05LSM9A_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05L_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD14N05L_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05LSM_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD14N05LSM_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05LSM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD14N05LSM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05LSM
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD14N05LSM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05L_NL
Rochester Electronics LLC
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1 | 14A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, LEAD FREE PACKAGE-3 | RFD14N05L_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05LSM9A
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD14N05LSM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05LSM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD14N05LSM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05LSM
Rochester Electronics LLC
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1 | 14A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, 3 PIN | RFD14N05LSM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05LSM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD14N05LSM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD14N05LSM
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD14N05LSM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||