Showing 25 of 359 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1300BDL-T1-E3
Vishay
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1 | SI1300BDL-T1-E3, N-channel MOSFET Transistor 0.37 A 20 V, 3-Pin SC-70 | SOT23 (3-Pin) | SI1300BDL-T1-E3 |
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SI1308EDL-T1-GE3
Vishay
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1 | MOSFET N-Ch 30V 1.5A TrenchFET SC70 Vishay Si1308EDL-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 1.5 A, 30 V, 3-Pin SC-70 | SOT23 (3-Pin) | SI1308EDL-T1-GE3 |
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SI1302DL-T1-E3
Vishay
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1 | SI1302DL-T1-E3, N-channel MOSFET Transistor 0.6 A 30 V, 3-Pin SOT-323 | SOT23 (3-Pin) | SI1302DL-T1-E3 |
3
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SI1308EDL-T1-BE3
Vishay
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1 | MOSFET 30V N-CHANNEL (D-S) | SOT23 (3-Pin) | SI1308EDL-T1-BE3 |
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SI1304BDL-T1-E3
Vishay
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1 | SI1304BDL-T1-E3, N-channel MOSFET Transistor 0.85 A 30 V, 3-Pin SC-70 | SOT23 (3-Pin) | SI1304BDL-T1-E3 |
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NSI1300D05
NOVOSENSE
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1 | High Reliability ReinforcedIsolated AmplifierSOP8(300mil) 5.85mm × 7.50mm | Small Outline Packages | NSI1300D05 |
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NSI1300D25-DSWWAR
NOVOSENSE
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1 | High Reliability Reinforced Isolated Amplifier, Input common-mode overvoltage detection, -40℃ ~125℃ | Small Outline Packages | NSI1300D25-DSWWAR |
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NSI1306M25-DSWVR
NOVOSENSE
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1 | ISO C-SENSING MODULATOR | Small Outline Packages | NSI1306M25-DSWVR |
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FSI-130-10-L-D-AD
SAMTEC
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1 | Board to Board & Mezzanine Connectors 1.00 mm One-Piece Interface | Other | FSI-130-10-L-D-AD |
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FSI-130-03-G-D-AD
SAMTEC
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1 | SAMTEC - FSI-130-03-G-D-AD - CONNECTOR, 1MM, 2X30WAY | Other | FSI-130-03-G-D-AD |
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FSI-130-03-G-D-M-AD-K
SAMTEC
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1 | Board to Board & Mezzanine Connectors 1.00 mm One-Piece Interface Number of Positions 30. | Other | FSI-130-03-G-D-M-AD-K |
3
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FSI-130-10-L-D-M-AD-P-TR
SAMTEC
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1 | CONN STACKING 60POS SMD GOLD | Other | FSI-130-10-L-D-M-AD-P-TR |
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NSI1300D25-DSWVR
NOVOSENSE
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1 | SOP-8-300mil Isolation Amplifiers ROHS | Small Outline Packages | NSI1300D25-DSWVR |
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NSI1306L25
NOVOSENSE
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1 | High Reliability Reinforced Isolated Sigma-Delta Modulator with LVDS,±50mV~±250mV,5MHz to 21MHz -40 to 125°C | Small Outline Packages | NSI1306L25 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSI-130-10-L-D-M-AT
SAMTEC
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1 | Board to Board & Mezzanine Connectors 1.00 mm One-Piece Interface | Other | FSI-130-10-L-D-M-AT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSI1306C25-DSWVR
NOVOSENSE
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1 | NSI1306C: High Reliability Reinforced Isolated Sigma-Delta Modulator (ADC) | Small Outline Packages | NSI1306C25-DSWVR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSI-130-10-L-D-M-AD
SAMTEC
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1 | 60 Position Connector Stacking Compression Surface Mount Gold , 2.8 A , 220 VAC , - 55 C + 125 C | Other | FSI-130-10-L-D-M-AD |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSI1300D25-Q1
NOVOSENSE
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1 | Up to 5000Vrms Insulation voltage ±50mV or ±250mV linear Input Voltage Range Fixed Gain: 8.2 or 41 Low Offset Error and Drift:NSI1300D25: ±0.2mV (Max), -2~4μV/℃ (Max)NSI1300D05: ±0.1mV (Max), -0.8~1μV/℃ (Max) Low Gain Error and Drift:±0.3% (Max), ±50ppm/℃ (Max) Low Nonlinearity and Drift:±0.03% (Max), ±1ppm/℃ (Typ) SNR: 86dB (Typ, BW=10kHz), 72dB (Typ, BW=100kHz) Wide bandwidth: 310kHz (Typ) High CMTI: 150kV/μs (Typ) | Small Outline Packages | NSI1300D25-Q1 |
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SI130CG
Atmel Corporation
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1 | Dual Switching Controller, Current-mode, 300kHz Switching Freq-Max, PDSO28 | SI130CG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI130CG
Temic Semiconductors
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1 | Dual Switching Controller, Current-mode, 300kHz Switching Freq-Max, PDSO28 | SI130CG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1304BDL
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | N-Channel 20 V MOSFET with 0.036 ohm RDS(on) at 10 V VGS, 4.4 A continuous drain current, available in SOT-323 and SC-70 packages, suitable for load switching applications. | SI1304BDL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1303DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.67A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI1303DL-T1-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1308EDL-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI1308EDL-T1-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1300DL-T1
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI1300DL-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1305DL-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 8V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI1305DL-T1-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||