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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7454DDP-T1-GE3
Vishay
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1 | N-Channel 100 V 21A (Tc) 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | Other | SI7454DDP-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7450DP-T1-E3
Vishay
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1 | Vishay SI7450DP-T1-E3 N-channel MOSFET Transistor, 3.2 A, 200 V, 8-Pin SOIC | Other | SI7450DP-T1-E3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7450DP-T1-GE3
Vishay
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1 | MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | Other | SI7450DP-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7456DP-T1-GE3
Vishay
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1 | MOSFET 100V 9.3A 5.2W 25mohm @ 10V | Other | SI7456DP-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7454FDP-T1-RE3
Vishay
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1 | N-Channel 100 V 7.2A (Ta), 23.5A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | Other | SI7454FDP-T1-RE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7454DP-T1-E3
Vishay
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1 | VISHAY - SI7454DP-T1-E3 - MOSFET, N CH, 100V, 5A, PPAKSO-8 | Other | SI7454DP-T1-E3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7450DP-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7450DP-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7459DP-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7459DP-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7456DP-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7456DP-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7456DP-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7456DP-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7456DP-T1
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7456DP-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7450DPT1
Vishay Dale
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0 | IC,N-CHANNEL,200V | SI7450DPT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7456CDP-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor | SI7456CDP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7450DP-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7450DP-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7454DP-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7454DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7450DP
Vishay Siliconix
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1 | Transistor | SI7450DP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7454CDP-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 100V, 0.0305ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7454CDP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7454DP-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7454DP-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7454DP-T1
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7454DP-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7456DP-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7456DP-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7456DDP-T1-GE3
Vishay
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1 | N-Channel 100 V 27.8A (Tc) 5W (Ta), 35.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | SI7456DDP-T1-GE3 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7454DP-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7454DP-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7459DP-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7459DP-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7454CDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 100V, 0.0305ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7454CDP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7454DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7454DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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