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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHFL014TR-GE3
Vishay
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1 | MOSFET N-CHANNEL 60V | SOT223 (3-Pin) | SIHFL014TR-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHFL9110TR-GE3
Vishay
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1 | MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | SIHFL9110TR-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHFL110TR-GE3
Vishay
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1 | MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | SIHFL110TR-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHFL9014TR-GE3
Vishay
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1 | MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | SIHFL9014TR-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHFL9014-GE3
Vishay
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1 | Available in tape and reel• Dynamic dV/dt rating• Repetitive avalanche rated• P-cHANNNEL | SOT223 (3-Pin) | SIHFL9014-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHFL110TR-BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | SIHFL110TR-BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHFL110TR-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | SIHFL110TR-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHFL210TR-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.96A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | SIHFL210TR-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHFL210TR-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.96A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | SIHFL210TR-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHFL210T
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.96A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | SIHFL210T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHFL9014TR-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | SIHFL9014TR-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHFL014TR-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | SIHFL014TR-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHFL210T-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.96A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | SIHFL210T-E3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHFL9110TR-GE3
Vishay Siliconix
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1 | TRANSISTOR 1100 mA, 100 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, FET General Purpose Small Signal | SIHFL9110TR-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHFL9014-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | SIHFL9014-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||