Showing 23 of 23 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMMBD301LT3G
onsemi
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1 | Low Reverse Leakage - IR = 13 nAdc (Typ) MBD301, MMBD301; Very Low Capacitance - 1.5 pF (Max) @ VR = 15 V; Extremely Low Minority Carrier Lifetime - 15 ps (Typ); Pb-Free Packages are Available; S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC Qualified and PPAP Capable | SOT23 (3-Pin) | SMMBD301LT3G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMMBD7000LT3G
onsemi
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1 | Low Reverse Leakage; Extremely Low Minority Carrier Lifetime; Available in 8 mm Tape and Reel; Very Low Capacitance; Pb-Free Packages are Available; S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable | SOT23 (3-Pin) | SMMBD7000LT3G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMMBD914LT1G
onsemi
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1 | These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant; S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable | SOT23 (3-Pin) | SMMBD914LT1G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMMBD770T1G
onsemi
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1 | Extremely Low Minority Carrier Lifetime; Very Low Capacitance; Low Reverse Leakage; S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC Qualified and PPAP Capable | SOT23 (3-Pin) | SMMBD770T1G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMMBD7000LT1G
onsemi
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1 | Low Reverse Leakage; Extremely Low Minority Carrier Lifetime; Available in 8 mm Tape and Reel; Very Low Capacitance; Pb-Free Packages are Available; S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable | SOT23 (3-Pin) | SMMBD7000LT1G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMMBD701LT1G
onsemi
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1 | High Reverse Voltage - to 70 Volts; Low Reverse Leakage - 200 nA (Max); Very Low Capacitance - 1.0 pF @ VR = 20 V; Extremely Low Minority Carrier Lifetime - 15 ps (Typ); Pb-Free Packages are Available; S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC Qualified and PPAP Capable | SOT23 (3-Pin) | SMMBD701LT1G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMMBD914LT3G
onsemi
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1 | These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant; S Prefix for Automotive and Other Applications • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified andPPAP Capable• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantRequiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable | SOT23 (3-Pin) | SMMBD914LT3G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMMBD330T1G
onsemi
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1 | Extremely Low Minority Carrier Lifetime; Very Low Capacitance; Low Reverse Leakage; S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC Qualified and PPAP Capable | SOT23 (3-Pin) | SMMBD330T1G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMMBD2835LT1G
onsemi
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 0.05A, 35V V(RRM), Silicon, TO-236AB | SMMBD2835LT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMMBD2837LT1
Rochester Electronics LLC
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1 | 0.15 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN | SMMBD2837LT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMMBD2837LT1G
onsemi
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, TO-236AB | SMMBD2837LT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMMBD7000LT1G
Silicon360
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1 | Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon | SMMBD7000LT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMMBD914LT1
onsemi
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, TO-236AB | SMMBD914LT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMMBD701LT1
onsemi
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1 | Mixer Diode, Ultra High Frequency, Silicon, TO-236AB | SMMBD701LT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMMBD301LT1G
onsemi
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1 | Mixer Diode, Ultra High Frequency, Silicon, TO-236 | SMMBD301LT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMMBD301LT3
onsemi
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1 | Mixer Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon, TO-236AB | SMMBD301LT3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMMBD7000LT3G
Silicon360
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1 | Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon | SMMBD7000LT3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMMBD914LT1
Rochester Electronics LLC
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, TO-236AB | SMMBD914LT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMMBD301LT1
onsemi
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1 | Mixer Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon, TO-236AB | SMMBD301LT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMMBD2837LT1
onsemi
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, TO-236AB | SMMBD2837LT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GSMMBD3004A
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 0.225A, 350V V(RRM), Silicon | GSMMBD3004A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GSMMBD3004C
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 0.225A, 350V V(RRM), Silicon | GSMMBD3004C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GSMMBD3004S
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 0.225A, 350V V(RRM), Silicon | GSMMBD3004S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||