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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB18NF25
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade N-channel 250 V, 0.140 Ohm typ., 17 A STripFET II Power MOSFET in a D2PAK package | Other | STB18NF25 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB18N65M5
STMicroelectronics
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1 | STMICROELECTRONICS - STB18N65M5 - Power MOSFET, N Channel, 650 V, 15 A, 0.198 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | Other | STB18N65M5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB18N60M6
STMicroelectronics
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1 | MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 22 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package | Other | STB18N60M6 |
3
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STB18NF30
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade N-channel 330 V, 160 mΩ typ., 18 A STripFET II Power MOSFET in a D²PAK package | Other | STB18NF30 |
2
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STB18NM80
STMicroelectronics
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1 | N-channel 800 V, 250 mΩ typ., 17 A MDmesh Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages | Other | STB18NM80 |
3
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STB18N55M5
STMicroelectronics
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1 | N-Channel MOSFET, 13 A, 550 V, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB18N55M5 | Other | STB18N55M5 |
3
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STB18N60DM2
STMicroelectronics
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1 | STB18N60DM2 N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V MDmesh DM2, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics | Other | STB18N60DM2 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB18N60M2
STMicroelectronics
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1 | N-channel 600 V, 255 mΩ typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a D²PAK package | Other | STB18N60M2 |
3
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STB18N20T4
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB18N20T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB18N20
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB18N20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB18N20-1
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | STB18N20-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB18NM60ND
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB18NM60ND |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB180N10F3
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB180N10F3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB18NM60NTRL
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.285ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB18NM60NTRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB185N10F3
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB185N10F3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB185N55F3
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 55V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB185N55F3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB18NM80TRL
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB18NM80TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB180N55
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 55V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB180N55 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB18NM60N
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.285ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB18NM60N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB180N55F3
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 55V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB180N55F3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB185N55
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 55V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB185N55 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RKC9DLSTB1803F
KOA Speer Electronics Inc
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1 | Array/Network Resistor, Bussed, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 180000ohm, 200V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, | RKC9DLSTB1803F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RKC10BDSTB181J
KOA Speer Electronics Inc
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1 | Array/Network Resistor, Bussed, Metal Glaze/thick Film, 1.15W, 180ohm, 200V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Through Hole Mount | RKC10BDSTB181J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RKL9EDSTB182/182G
KOA Speer Electronics Inc
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1 | Array/Network Resistor, Center Tap, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 1800ohm, 100V, 2% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, | RKL9EDSTB182/182G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RKC11ALSTB181G
KOA Speer Electronics Inc
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1 | Array/Network Resistor, Series, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 180ohm, 200V, 2% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, | RKC11ALSTB181G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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