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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STPSC20H12D
STMicroelectronics
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1 | STMICROELECTRONICS - STPSC20H12D - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 38A, TO-220AC | Transistor Outline, Vertical | STPSC20H12D |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HPTF0603-SC-2000FT
Venkel
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1 | High Power Thin Film CR,0603,1/6W,?50PPM,200R,?1% | Other | HPTF0603-SC-2000FT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STPSC20065GY-TR
STMicroelectronics
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1 | Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode | Other | STPSC20065GY-TR |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HPTF0603-SC-2050BT
Venkel
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1 | High Power Thin Film CR,0603,1/6W,?50PPM,205R,?0.1% | Other | HPTF0603-SC-2050BT |
3
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PSC20120LQ
Nexperia
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1 | 1200 V, 20 A SiC Schottky diode in TO247 R2P | Transistor Outline, Vertical | PSC20120LQ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STPSC20H12DY
STMicroelectronics
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1 | Automotive 1200 V, 20 A Silicon Carbide Diode | Transistor Outline, Vertical | STPSC20H12DY |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q-SC20S0322070AAAF
Seiko Epson Corporation
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1 | Quartz Crystal Unit SC-20S, 32.768kHz ± 20 × 10-6 / 7.0 pF | Other | Q-SC20S0322070AAAF |
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STPSC20H065CW
STMicroelectronics
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1 | 650 V, 20 A dual High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode | Transistor Outline, Vertical | STPSC20H065CW |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSC2065J-QJ
Nexperia
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1 | 650 V, 20 A SiC Schottky diode in D2PAK R2P for automotive applications | Other | PSC2065J-QJ |
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PSC2065T2A0-QJ
Nexperia
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1 | 650 V, 20 A SiC Schottky diode in X.PAK for automotive applications, -65 to 175 °C | Other | PSC2065T2A0-QJ |
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STPSC20H12G-TR
STMicroelectronics
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1 | Schottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode | Other | STPSC20H12G-TR |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSC20120J-QJ
Nexperia
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1 | 1200 V, 20 A SiC Schottky diode in D2PAK R2P for automotive applications | Other | PSC20120J-QJ |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STPSC20G065DY
STMicroelectronics
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1 | Automotive 650 V, 20 A high surge silicon carbide power Schottky diode | Transistor Outline, Vertical | STPSC20G065DY |
3
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VS-C20ET07T-M3
Vishay
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1 | 650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 20 A | Other | VS-C20ET07T-M3 |
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STPSC20H12CWY
STMicroelectronics
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1 | 20 A 1200 V power Schottky silicon carbide diode | Transistor Outline, Vertical | STPSC20H12CWY |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STPSC20G12WL
STMicroelectronics
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1 | 1200 V, 20 A power Schottky high surge silicon carbide diode | Transistor Outline, Vertical | STPSC20G12WL |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STPSC20G065WLY
STMicroelectronics
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1 | Automotive 650 V, 20 A high surge silicon carbide power Schottky diode | Transistor Outline, Vertical | STPSC20G065WLY |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSC20120JJ
Nexperia
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1 | 1200 V, 20 A SiC Schottky diode in D2PAK R2P SOT8018 | Other | PSC20120JJ |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STPSC20G12WLY
STMicroelectronics
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1 | Automotive 1200 V, 20 A power Schottky high surge silicon carbide diode | Transistor Outline, Vertical | STPSC20G12WLY |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STPSC20G065WL
STMicroelectronics
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1 | 650 V, 20 A high surge silicon carbide power Schottky diode | Transistor Outline, Vertical | STPSC20G065WL |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STPSC20065DI
STMicroelectronics
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1 | STMICROELECTRONICS - STPSC20065DI - Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 20 A, 62 nC, TO-220AC | Transistor Outline, Vertical | STPSC20065DI |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSC2021IST
STMicroelectronics
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1 | Wide common-mode voltage: -4 to 100 V• High common-mode rejection CMR: 100 dB min.• Offset voltage: ±150 µV max.• Offset drift: 0.5 µV/°C max.• Enhanced PWM rejection• 2.7 to 5.5 V supply voltage• Internal fixed gain– TSC2020: 20 V/V– TSC2021: 50 V/V– TSC2022: 100 V/V• Gain error: 0.3% max.• Gain drift: 3.5 ppm/°C max.• SO8, MiniSO8 and TSSOP8 packages• AEC-Q100 qualified | Small Outline Packages | TSC2021IST |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DSC-2001R0L
Panasonic
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1 | DSC2001R0L, NPN Bipolar Transistor, 100 mA 50 V HFE:210 150 MHz, 3-Pin Mini3 G3 B | SOT23 (3-Pin) | DSC-2001R0L |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DSC-200100L
Panasonic
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1 | DSC200100L, NPN Bipolar Transistor, 100 mA 50 V HFE:210 150 MHz, 3-Pin Mini3 G3 B | SOT23 (3-Pin) | DSC-200100L |
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TSC2004IRTJT
Texas Instruments
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1 | Nano-Power Touch Screen Controller with I2C Serial Interface | Quad Flat No-Lead | TSC2004IRTJT |
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