Showing 25 of 107 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60C
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon | 1N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60C
Microwave Diode Corp
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.05A, 50V V(RRM) | 1N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60CTM
onsemi
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1 | 1A, 600V, RDS(on) = 11.5Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 0.5A; RoHS compliant; 100% avalanche tested; Low Crss ( Typ. 3.5pF); Low gate charge ( Typ. 4.8nC) | Other | FQD1N60CTM |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU1N60CTU
onsemi
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1 | N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole IPAK | Transistor Outline, Vertical | FQU1N60CTU |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPA11N60C3
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 | Transistor Outline, Vertical | SPA11N60C3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT1N60CTF-WS
onsemi
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1 | 0.2A, 600V, RDS(on) = 9.3Ω(Typ.) @VGS = 10 V, ID = 0.1A; Low gate charge ( Typ. 4.8nC); Low Crss ( Typ. 3.5pF); 100% avalanche tested; RoHS compliant | SOT223 (3-Pin) | FQT1N60CTF-WS |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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R1151N60C-TR-FB
Ricoh Electronic Devices Co Ltd
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1 | Fixed Positive LDO Regulator, 6V, CMOS, PDSO6 | R1151N60C-TR-FB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPW11N60CFDFKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | SPW11N60CFDFKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPA11N60CFD
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPA11N60CFD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD1N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQU1N60C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQU1N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AF01N60CZ-E1
Diodes Incorporated
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | AF01N60CZ-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60CTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD1N60CTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPA11N60CFDXK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPA11N60CFDXK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM11N60CSAZ
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | OM11N60CSAZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM11N60CSAZT
Infineon Technologies AG
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0 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259AA | OM11N60CSAZT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPB11N60C3XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB11N60C3XT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM11N60CSAZV
Infineon Technologies AG
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0 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259AA | OM11N60CSAZV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D55342K07B1N60C
TT Electronics Resistors
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 1600ohm, 100V, 10% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 1206, | D55342K07B1N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS8821N-60CE
Fortune Semiconductor Corp
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1 | Power Management Circuit | FS8821N-60CE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60CTF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD1N60CTF_NL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPW11N60C3FKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | SPW11N60C3FKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPD01N60C3BTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | SPD01N60C3BTMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPB11N60C3
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SPB11N60C3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQN1N60CTA
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | FQN1N60CTA |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||