5N65G Model Download Search Results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCTWA35N65G2V
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mΩ typ., 45 A in an HiP247 long leads package | Transistor Outline, Vertical | SCTWA35N65G2V |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCTL35N65G2V
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mΩ typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV package | Other | SCTL35N65G2V |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCTWA35N65G2V-4
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET N-Channel 650 V, 55 mΩ typ., 45 A in an HiP247-4 package | Other | SCTWA35N65G2V-4 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCTW35N65G2VAG
STMicroelectronics
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1 | • AEC-Q101 qualified• Very fast and robust intrinsic body diode• Low capacitanceAutomotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package | Transistor Outline, Vertical | SCTW35N65G2VAG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCTW35N65G2V
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mΩ typ., 45 A in an HiP247 package | Other | SCTW35N65G2V |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCTWA35N65G2VAG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 long leads package | Transistor Outline, Vertical | SCTWA35N65G2VAG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCTH35N65G2V-7AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 55 mΩ typ., 45 A in an H2PAK-7 package | Other | SCTH35N65G2V-7AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCTH35N65G2V-7
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an H2PAK-7 package | Other | SCTH35N65G2V-7 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 5N65G-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-CB-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N65G-CB-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-CQ-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 5N65G-CQ-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-HC-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 5N65G-HC-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-HC-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 5N65G-HC-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-HC-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 5N65G-HC-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N65G-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-CB-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N65G-CB-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-CB-TM3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 5N65G-CB-TM3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N65G-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 5N65G-TN3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-TC2-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 5N65G-TC2-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 5N65G-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-TC2-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 5N65G-TC2-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-HC-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 5N65G-HC-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-TC2-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 5N65G-TC2-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N65G-CB-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N65G-CB-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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