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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0802LS
Infineon
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1 | OptiMOSTM5Power-Transistor,100V | Other | BSC0802LS |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC082N10LSGATMA1
Infineon
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1 | BSC082N10LSGATMA1 N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V OptiMOS 2, 8-Pin TDSON Infineon | Other | BSC082N10LSGATMA1 |
3
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BSC084P03NS3EG
Infineon
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1 | MOSFET P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3 | Other | BSC084P03NS3EG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC080N03MSGATMA1
Infineon
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1 | BSC080N03MSGATMA1 N-Channel MOSFET, 53 A, 30 V OptiMOS 3, 8-Pin TDSON Infineon | Other | BSC080N03MSGATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC080N03LSG
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | Other | BSC080N03LSG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC084P03NS3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3 | Other | BSC084P03NS3GATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0802LSATMA1
Infineon
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1 | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | Other | BSC0802LSATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC080P03LSGAUMA1
Infineon
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1 | Trans MOSFET P-CH 30V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Other | BSC080P03LSGAUMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC088N15LS5ATMA1
Infineon
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1 | MOSFETs TRENCH >=100V | Other | BSC088N15LS5ATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0805LSATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-CH 100V 79A TDSON-8-6 | Other | BSC0805LSATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC080N12LSGATMA1
Infineon
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1 | INFINEON - BSC080N12LSGATMA1 - Power MOSFET, N Channel, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, TDSON, Surface Mount | Other | BSC080N12LSGATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC084P03NS3 G
Infineon
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1 | MOSFET P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3 | Other | BSC084P03NS3 G |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC080P03LSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC080P03LSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC080N12LS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 99A I(D), 120V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC080N12LS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC084P03NS3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC084P03NS3GXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC080N03MSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0102ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC080N03MSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC084P03NS3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC084P03NS3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC085N025SG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 25V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC085N025SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0804LS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 100V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0804LS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC082N10LSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.8A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC082N10LSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0803LS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 100V, 0.0146ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0803LS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC084P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC084P03NS3EGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0805LS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 79A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0805LS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC080N03LSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC080N03LSGATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TAZB475K010CBSC0823
Kyocera AVX Components
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 10V, 10% +Tol, 10% -Tol, 4.7uF, Surface Mount, 1505, CHIP | TAZB475K010CBSC0823 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||