Showing 25 of 154 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8876
onsemi
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1 | RDS(ON) = 8.2 mΩ @ VGS = 10V @ ID = 35A; RDS(ON) = 10 mΩ @ VGS = 4.5V @ ID = 35A; High performance trench technology for extremely low rDS(ON); Low gate charge; High power and current handling capability | Other | FDD8876 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8878
onsemi
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1 | Obsolete - N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 55A, 11.5mΩ | Other | FDD8878 |
2
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FDD8896-F085
onsemi
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1 | Last Shipments - Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM II, 500 V, 6.5 A, 850 mΩ, DPAK | Other | FDD8896-F085 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8880
onsemi
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1 | RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 4.5V @ ID = 35A; RDS(ON) = 9 mΩ @ VGS = 10V @ ID = 35A; High performance trench technology for extremely low rDS(ON); Low gate charge; High power and current handling capability | Other | FDD8880 |
3
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FDD8874
onsemi
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1 | Last Shipments - N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 73A, 8.2mΩ | Other | FDD8874 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8870
onsemi
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1 | RDS(ON) = 3.9 mΩ, VGS = 10V, ID = 35V; High performance trench technology for extremely low RDS(ON); RDS(ON) = 4.4 mΩ, VGS = 4.5V, ID = 35V; Low gate charge; High power and current handling capability | Other | FDD8870 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8896
onsemi
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1 | Low gate charge; High power and current handling capability; RDS(ON) = 6.8 mΩ, VGS = 4.5V, ID = 35V; RDS(ON) = 5.7 mΩ, VGS = 10V, ID = 35V; High performance trench technology for extremely low RDS(ON) | Other | FDD8896 |
3
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FDD8870-F085
onsemi
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1 | N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 160A, 3.9mΩ, TO-252 3L (DPAK), 2500-REEL, Automotive Qualified | FDD8870-F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8880_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD8880_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8876
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD8876 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8878
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD8878 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8896_SBSW004
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDD8896_SBSW004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8882
Rochester Electronics LLC
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1 | 35A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 | FDD8882 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8880
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD8880 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8896_NF054
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDD8896_NF054 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8896-G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD8896-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8880
Rochester Electronics LLC
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1 | 35A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 | FDD8880 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8878-NBSE001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDD8878-NBSE001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8882_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD8882_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8870_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | FDD8870_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8896-NBSW006
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDD8896-NBSW006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8870_F085
onsemi
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1 | 30V, 160A, 3.2mΩ, Dual DPAK N-Channel PowerTrench®, TO-252 3L (DPAK), 5000-TAPE REEL | FDD8870_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8878_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD8878_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8876
Rochester Electronics LLC
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1 | 15A, 30V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 | FDD8876 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD8896_F085
onsemi
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1 | 30V, 94A, 4.7mΩ,l DPAK N-Channel PowerTrench®, TO-252 3L (DPAK), 5000-TAPE REEL | FDD8896_F085 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||