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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA86251
onsemi
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1 | Free from halogenated compounds and antimony oxides ; Max rDS(on) = 170 mΩ at VGS = 10 V, ID = 2.4 A ; RoHS Compliant ; Max rDS(on) = 237 mΩ at VGS = 6 V, ID = 2.0 A ; Low Profile - 0.8 mm maximum in the new package MicroFET 2x2 mm | Other | FDMA86251 |
2
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FDMA8878
onsemi
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1 | RoHS Compliant ; High performance trench technology for extremely low rDS(on) ; Fast switching speed ; Max rDS(on) = 19 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 8.5 A ; Max rDS(on) = 16 mΩ at VGS = 10 V, ID = 9.0 A | Other | FDMA8878 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA86265P
onsemi
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1 | Max rDS(on) = 1.2 Ω at VGS = -10 V, ID = -1 A; This product is optimised for fast switching applications as well as load switch applications; Low Profile - 0.8 mm maximum in the new package MicroFET 2x2 mm; RoHS Compliant; 100% UIL tested; Very low RDS-on mid voltage P-channel silicon technology optimised for low Qg; Max rDS(on) = 1.4 Ω at VGS = -6 V, ID = -0.9 A | Other | FDMA86265P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA86151L
onsemi
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1 | Low Profile - 0.8 mm maximum in the new package MicroFET 2x2 mm ; RoHS Compliant ; Free from halogenated compounds and antimony oxides ; Max rDS(on) = 88 mΩ at VGS = 10 V, ID = 3.3 A ; Max rDS(on) = 132 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 2.7 A | Other | FDMA86151L |
3
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FDMA8051L
onsemi
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1 | Max rDS(on) = 18 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 8.5 A ; Free from halogenated compounds and antimony oxides ; Max rDS(on) = 14 mΩ at VGS = 10 V, ID = 10 A ; RoHS Compliant ; Low Profile - 0.8 mm maximum in the new package MicroFET 2x2 mm | Other | FDMA8051L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA86551L
onsemi
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1 | Free from halogenated compounds and antimony oxides ; Low Profile - 0.8 mm maximum in the new package MicroFET 2x2 mm ; Max rDS(on) = 23 mΩ at VGS = 10 V, ID = 7.5 A ; Max rDS(on) = 35 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 6 A ; RoHS Compliant | Other | FDMA86551L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA86108LZ
onsemi
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1 | Max rDS(on) = 243 mΩ at VGS = 10 V, ID = 2.2 A ; RoHS Compliant ; Max rDS(on) = 366 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 1.8 A ; Low Profile - 0.8 mm Maximum in the New Package MicroFET 2x2 mm ; Free from Halogenated Compounds and Antimony Oxides | Other | FDMA86108LZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA86151L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 100V, 0.088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMA86151L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA8878
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMA8878 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA8051L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 40V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMA8051L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA86551L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMA86551L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA8884
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMA8884 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA86251
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | FDMA86251 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA8884
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMA8884 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA86265P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMA86265P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA8878-F130
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMA8878-F130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMA86108LZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | FDMA86108LZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC80TFDMA8.0
Fox Electronics
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 8MHz Nom | FC80TFDMA8.0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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