FDN35 Model Download Search Results
Showing 25 of 30 results
Price & Stock Powered by 
Findchips
Findchips
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDN358P
onsemi
|
1 | High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on); High Power Version of Industry Standard SOT-23 Package. Identical Pin-Out to SOT-23 with 30% Higher Power Handling Capability; RDS(ON) = 200 mΩ @ VGS = 4.5 V. ; -1.5 A, -30 V; Low Gate Charge (4 nC typical); RDS(ON) = 125 mΩ @ VGS = 10 V | SOT23 (3-Pin) | FDN358P |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN357N
onsemi
|
1 | 1.9 A, 30 V; Industry standard outline SOT-23 surface mount package using proprietary SuperSOT™-3 design for superior thermal and electrical capabilities.; High density cell design for extremely low RDS(ON).; Exceptional on-resistance and maximum DC current capability.; RDS(ON) = 0.090 Ω @ VGS = 4.5 V; RDS(ON) = 0.060 Ω @ VGS = 10 V | SOT23 (3-Pin) | FDN357N |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN359AN
onsemi
|
1 | Very Fast Switching; 2.7 A, 30 V. RDS(ON) = 0.046 Ω @ VGS = 10 V, RDS(ON) = 0.060 Ω @ VGS = 4.5 V. ; Low Gate Charge (5nC typical).; High Power Version of Industry Standard SOT-23 Package. Identical Pin-Out to SOT-23 with 30% Higher Power Handling Capability | SOT23 (3-Pin) | FDN359AN |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN359BN
onsemi
|
1 | Low Gate Charge (5nC typical); RDS(ON)= 0.060 Ω @ VGS = 4.5 V; RDS(ON)= 0.046 Ω @ VGS = 10 V; High Performance Version of Industry Standard SOT-23 Package. Identical Pin-Out to SOT-23 with 30% Higher Power Handling Capability; 2.7 A, 30 V.; Very Fast Switching | SOT23 (3-Pin) | FDN359BN |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN352AP
onsemi
|
1 | RDS(ON) = 300 mΩ @ VGS = -4.5V; -1.1A, -30V; RDS(ON) = 180 mΩ @ VGS = -10V; High power version of industry Standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability; High performance trench technology for extremely low RDS(ON).; -1.3A, -30V | SOT23 (3-Pin) | FDN352AP |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN359BN-F095
FAIRCHILD INDUSTRIAL
|
1 | N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET | SOT23 (3-Pin) | FDN359BN-F095 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN358PD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN358PD87Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN358P
Rochester Electronics LLC
|
1 | 1500mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-3 | FDN358P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN352AP_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN352AP_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN358PL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN358PL99Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN359AN
Rochester Electronics LLC
|
1 | 2700mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-3 | FDN359AN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN357N
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN357N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN352AP
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN352AP |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN352AP-NBAL001
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN352AP-NBAL001 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN359BN
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN359BN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN359AN-F095
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor | FDN359AN-F095 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN357NL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN357NL99Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN357NS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN357NS62Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN358PS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN358PS62Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN359AN_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN359AN_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN359AN
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN359AN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN358P
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN358P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN357ND87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN357ND87Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN357N_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN357N_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN352AP
Rochester Electronics LLC
|
1 | 1300mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-3, 3 PIN | FDN352AP |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/2D/0T/15777283.1.1.png",null,null])
![Part Image]([null,null,"//content.supplyframe.com/images/process/fit-in/100x100/p/sot23_3.jpg"])
Can't find what you're looking for?
Request this part