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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGHL40T120SWD
onsemi
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1 | RoHS Compliant; Low switching loss; Maximum Junction Temperature- TJ =175℃; Positive Temperature Coefficient; Smooth and Optimized Switching | Transistor Outline, Vertical | FGHL40T120SWD |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGHL40T120RWD
onsemi
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1 | Low Conduction Loss and Optimized Switching; Maximum Junction Temperature- TJ =175℃ ; Positive Temperature Coefficient; 100% of the Parts are Dynamically Tested; Short Circuit Rated | Transistor Outline, Vertical | FGHL40T120RWD |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGHL40T65MQD
onsemi
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1 | IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 238 W Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C | Other | FGHL40T65MQD |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGHL40S65UQ
onsemi
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1 | Last Shipments - IGBT, 360V, 27A, 1.32V, 320mJ, TO-262EcoSPARK I, N-Channel Ignition | Transistor Outline, Vertical | FGHL40S65UQ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGHL40T65MQDT
onsemi
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1 | Positive temperature co-efficient; Low Vce(sat); Low Eon and Eoff | Other | FGHL40T65MQDT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGHL40T120RWD
onsemi
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1 | AEC Q101 qualified; Tight Parameter distribution; Low Vcesat; Low Eoff & Eon | Transistor Outline, Vertical | AFGHL40T120RWD |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGHL40T120RW
onsemi
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1 | AEC Q101 qualified; Tight Parameter distribution; Low Vcesat; Low Eoff & Eon | Other | AFGHL40T120RW |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGHL40T65SPD
onsemi
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1 | AEC-Q101 rev. D Qualified; 100% of the part are dynamically tested; Tight Parameter Distribution | Transistor Outline, Vertical | AFGHL40T65SPD |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGHL40T120RW-STD
onsemi
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1 | AEC Q101 qualified; Tight Parameter distribution; Low Vcesat; Low Eoff & Eon | Other | AFGHL40T120RW-STD |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGHL40T65SQD
onsemi
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1 | AEC Q101 qualified; Maximum Junction Temperature, Tj=175°C; Very low switching and conduction losses; Positive temperature co-efficient; Tight parameter distribution; Fast Switching; Low Saturation Voltage: Vcesat=1.6V(Typ.)@Ic=75A; 100% of the parts are tested for ILM | Transistor Outline, Vertical | AFGHL40T65SQD |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGHL40T65SQ
onsemi
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1 | AEC Q101 qualified; Maximum Junction Temperature, Tj=175°C; Very low switching and conduction losses; Positive temperature co-efficient; Tight parameter distribution; Fast Switching; Low Saturation Voltage: Vcesat=1.6V(Typ.)@Ic=75A; 100% of the parts are tested for ILM | Transistor Outline, Vertical | AFGHL40T65SQ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGHL40T120RWD-STD
onsemi
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1 | AEC Q101 qualified; Tight Parameter distribution; Low Vcesat; Low Eoff & Eon | Transistor Outline, Vertical | AFGHL40T120RWD-STD |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGHL40T65LQDT
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | FGHL40T65LQDT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGHL40T65LQD
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | FGHL40T65LQD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGHL40T120RL
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 48A I(C), 1280V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | AFGHL40T120RL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGHL40T65RQDN
onsemi
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1 | AEC Q101 qualified; Short circuit rated; Maximum Junction Temperature : TJ = 175℃; Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating; Tighten Parameter Distribution; Low Saturation Voltage | AFGHL40T65RQDN |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGHL40T120RH
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | AFGHL40T120RH |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGHL40T120RHD
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 48A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | AFGHL40T120RHD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGHL40T120RLD
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 48A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | AFGHL40T120RLD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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